| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 硅片回收在半导体工艺生产中的作用 | 第9-11页 |
| 1.2 化学机械研磨在硅片回收中的作用 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第12-14页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 硅片回收中所用方法及原理 | 第15-42页 |
| 2.1 湿法腐蚀 | 第15页 |
| 2.2 硅片的湿法清洗 | 第15-18页 |
| 2.2.1 RCA清洗 | 第16-17页 |
| 2.2.2 机械刷片法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 超声波清洗 | 第18页 |
| 2.3 利用湿法腐蚀去除控挡片膜层 | 第18-19页 |
| 2.4 化学机械研磨在硅片回收的应用 | 第19-22页 |
| 2.4.1 化学机械研磨的原理 | 第19页 |
| 2.4.2 化学机械研磨机台 | 第19-22页 |
| 2.5 化学机械研磨的主要耗材 | 第22-32页 |
| 2.5.1 研磨头 | 第22-24页 |
| 2.5.2 研磨垫 | 第24-25页 |
| 2.5.3 研磨垫调整器 | 第25-27页 |
| 2.5.4 研磨液 | 第27-31页 |
| 2.5.5 毛刷（BRUSH） | 第31-32页 |
| 2.6 化学机械研磨后清洗简介 | 第32-35页 |
| 2.7 硅基片CMP研磨 | 第35-37页 |
| 2.8 化学机械研磨的主要工艺指标 | 第37-42页 |
| 2.8.1 研磨速率 | 第37-38页 |
| 2.8.2 均一性 | 第38-39页 |
| 2.8.3 缺陷 | 第39页 |
| 2.8.4 划伤 | 第39-40页 |
| 2.8.5 研磨液粒子残留 | 第40-42页 |
| 第三章 硅基片研磨方式的研究 | 第42-55页 |
| 3.1 硅基片CMP工艺 | 第42-44页 |
| 3.1.1 硅基片CMP工艺流程和主要问题 | 第42-43页 |
| 3.1.2 研磨液的特性介绍 | 第43-44页 |
| 3.2 比较研磨液浓度对研磨去除速率的影响(实验) | 第44-53页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第44-47页 |
| 3.2.2 实验条件和步骤 | 第47-49页 |
| 3.2.3 实验数据 | 第49-53页 |
| 3.2.4 实验总结 | 第53页 |
| 3.3 比较研磨液浓度和速率的关系选择最经济的组合 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 硅基片CMP主要工艺问题的改善 | 第55-69页 |
| 4.1 微划伤缺陷的改善 | 第55-61页 |
| 4.1.1 问题描述和成因分析 | 第55-57页 |
| 4.1.2 优化实验 | 第57-61页 |
| 4.1.3 实验结论 | 第61页 |
| 4.2 研磨后微粒缺陷问题的改善 | 第61-68页 |
| 4.2.1 问题描述和成因分析 | 第61-64页 |
| 4.2.2 优化实验 | 第64-67页 |
| 4.2.3 实验结论 | 第67-68页 |
| 4.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |