一维ZnO纳米结构单电子器件的器件制备及传输特性
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 序言 | 第8-11页 |
| 1 引言 | 第11-13页 |
| 1.1 研究目的及意义 | 第11页 |
| 1.2 本文研究内容 | 第11-13页 |
| 2 低维ZnO纳米材料 | 第13-21页 |
| 2.1 纳米材料 | 第13-17页 |
| 2.1.1 纳米材料介绍和特性 | 第13-15页 |
| 2.1.2 一维纳米材料电子和光电子器件 | 第15-17页 |
| 2.2 ZnO材料的基本性质 | 第17-18页 |
| 2.3 一维ZnO纳米结构的制备及应用 | 第18-21页 |
| 3 单电子晶体管 | 第21-27页 |
| 3.1 单电子器件发展概述 | 第21-23页 |
| 3.2 单电子器件分类及应用 | 第23页 |
| 3.2.1 单电子晶体管的类型 | 第23页 |
| 3.2.2 单电子晶体管的应用 | 第23页 |
| 3.3 单电子晶体管原理 | 第23-27页 |
| 3.3.1 库伦阻塞 | 第24-25页 |
| 3.3.2 库伦振荡 | 第25页 |
| 3.3.3 单电子晶体管的工作原理 | 第25-27页 |
| 4 器件制备 | 第27-39页 |
| 4.1 一维半导体纳米材料FET制备简介 | 第27页 |
| 4.2 光刻工艺 | 第27-32页 |
| 4.2.1 紫外光光刻工艺 | 第28-29页 |
| 4.2.2 电子束曝光工艺 | 第29-32页 |
| 4.3 热蒸发及其他微纳加工工艺 | 第32-37页 |
| 4.3.1 热蒸发工艺和剥离 | 第32-33页 |
| 4.3.2 氧离子处理残胶 | 第33-34页 |
| 4.3.3 分散纳米带 | 第34页 |
| 4.3.4 引线键合工艺 | 第34-35页 |
| 4.3.5 样品形貌观测工艺 | 第35-36页 |
| 4.3.6 切割样片工艺 | 第36-37页 |
| 4.4 单根ZnO纳米带FET的制备工艺流程 | 第37-39页 |
| 5 ZnO纳米带单电子晶体管的传输特性研究 | 第39-47页 |
| 5.1 测试设备简介 | 第39-41页 |
| 5.2 300K下ZnO纳米带SETs的电学特性 | 第41-42页 |
| 5.3 4.2K下ZnO纳米带SETs的电学特性 | 第42-43页 |
| 5.4 ZnO纳米带单电子器件中的库伦阻塞 | 第43-45页 |
| 5.5 ZnO纳米带单电子器件中量子点的输运 | 第45-47页 |
| 6 结论与展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第54-56页 |
| 学位论文数据集 | 第56页 |
