| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体纳米线概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 纳米线简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 纳米线的制备方法 | 第12-14页 |
| 1.2.3 半导体纳米线的结构与特性 | 第14-16页 |
| 1.3 GaN 概述 | 第16-21页 |
| 1.3.1 GaN 的理化特性 | 第16-17页 |
| 1.3.2 GaN 的光电特性 | 第17-19页 |
| 1.3.3 GaN 材料的制备方法 | 第19-20页 |
| 1.3.4 GaN 基异质结研究进展 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的选题意义及主要内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-30页 |
| 第二章 n-GaN/p-Cu_2O 纳米线异质结的制备及其发光特性 | 第30-40页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-31页 |
| 2.2.1 样品的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.2 样品的表征 | 第31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-36页 |
| 2.3.1 样品的结构形貌及化学成分分析 | 第31-36页 |
| 2.3.2 光致发光特性 | 第36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 单根 n-ZnO/p-AlGaN 异质结纳米线的制备及其光电特性 | 第40-55页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验部分 | 第41-43页 |
| 3.2.1 样品的制备 | 第41页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第41-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
| 3.3.1 场诱导表面光电压谱 (FISPS) | 第43页 |
| 3.3.2 形貌、结构及成分分析 | 第43-46页 |
| 3.3.3 单根异质结纳米线的 I-V 特性 | 第46-47页 |
| 3.3.4 电致发光特性 (EL) | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 第四章 总结和展望 | 第55-56页 |
| 4.1 总结 | 第55页 |
| 4.2 展望 | 第55-56页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |