| 中文摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 有机半导体材料的研究进程 | 第8-9页 |
| 1.3 有机半导体材料的分类 | 第9-10页 |
| 1.4 有机半导体材料的掺杂机理 | 第10-11页 |
| 1.5 有机半导体材料的应用 | 第11-13页 |
| 1.6 本论文的选题目的及主要研究内容 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-19页 |
| 第二章 有机半导体薄膜的带备及表征技术 | 第19-24页 |
| 2.1 实验原料 | 第19-20页 |
| 2.2 实验仪器及相关实验技术 | 第20-22页 |
| 2.2.1 真空热蒸发仪有机薄膜制备 | 第20-21页 |
| 2.2.2 X-射线光电子能谱 | 第21页 |
| 2.2.3 紫外光电子能谱 | 第21-22页 |
| 2.3 样品的制备与表征 | 第22-24页 |
| 第三章 热蒸发三氧化钼( MoO_3)掺杂诱导产生p型C_(60)的研究 | 第24-35页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第24-31页 |
| 3.2.1 p型C_(60)的发现 | 第24-25页 |
| 3.2.2 p型C_(60)的形成过程及原因 | 第25-31页 |
| 3.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第四章 通过HAT(CN)_6分子掺杂在α-NPD中对费米能级调控的影响 | 第35-49页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 4.2.1 UPS实验表征方法 | 第36-38页 |
| 4.2.2 理论计算表征方法 | 第38-42页 |
| 4.2.3 缺陷态关于掺杂机理的研究 | 第42-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表的学术论文 | 第51-52页 |
| 附录 2 攻读学位期间主持的科研项目 | 第52-53页 |