| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 ZnO材料简介 | 第13-20页 |
| 1.2.1 基本性能 | 第13-15页 |
| 1.2.2 ZnO的光电性能 | 第15-16页 |
| 1.2.3 ZnO的能带工程 | 第16-20页 |
| 1.3 论文研究目的及研究内容 | 第20-22页 |
| 2 实验设备及实验过程 | 第22-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜的制备过程 | 第24-30页 |
| 2.2.1 靶材的制备 | 第24页 |
| 2.2.2 衬底的选择及处理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 样品沉积过程 | 第25-26页 |
| 2.2.4 薄膜的性能评价 | 第26-30页 |
| 3 ZnCdO半导体薄膜的制备及表征 | 第30-54页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 ZnCdO薄膜的制备 | 第31-35页 |
| 3.2.1 衬底温度的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 激光频率的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 其他参数的影响 | 第34页 |
| 3.2.4 最优生长条件 | 第34-35页 |
| 3.3 ZnCdO薄膜的表征 | 第35-52页 |
| 3.3.1 组分及表面形貌 | 第35-38页 |
| 3.3.2 结构性能 | 第38-41页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第41-44页 |
| 3.3.4 ZnO/Zn_(0.9)Cd_(0.1)O异质结界面带阶测量 | 第44-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 CdO的稳定性ZnCdO的第一性原理计算 | 第54-68页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第55-60页 |
| 4.2.1 理论模型 | 第55-57页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第57-58页 |
| 4.2.3 光学性质公式及推导 | 第58-60页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第60-67页 |
| 4.3.1 纤锌矿ZnO的电子结构 | 第60-61页 |
| 4.3.2 CdO电子结构及稳定性 | 第61-63页 |
| 4.3.3 ZnCdO晶体结构 | 第63-65页 |
| 4.3.4 Cd掺杂对ZnCdO禁带宽度的影响 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 5 Al-Os合金的第一性原理计算 | 第68-81页 |
| 5.1 引言 | 第68-69页 |
| 5.2 计算模型与计算方法 | 第69-71页 |
| 5.2.1 计算模型 | 第69页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第69-71页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第71-80页 |
| 5.3.1 晶体结构 | 第71-72页 |
| 5.3.2 生成热 | 第72-74页 |
| 5.3.3 弹性性质 | 第74-75页 |
| 5.3.4 电子结构 | 第75-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 全文总结与展望 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-98页 |
| 符号表 | 第98-99页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及研究成果 | 第99页 |