| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 气敏传感器的参数及其应用 | 第11-12页 |
| 1.2.1 气体传感器的工作参数 | 第11-12页 |
| 1.2.2 气体传感器的应用 | 第12页 |
| 1.3 气体传感器的发展概况 | 第12-20页 |
| 1.3.1 氧化物半导体气体传感器 | 第13-17页 |
| 1.3.2 SnO2纳米线气敏传感器气敏机理 | 第17-18页 |
| 1.3.3 提高 SnO2纳米线气敏性能的方法 | 第18-20页 |
| 1.4 目前存在的主要问题 | 第20页 |
| 1.5 论文研究的目的、思路和主要内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 SnO2纳米线的制备及其单根纳米线器件的组装 | 第26-38页 |
| 2.1 引言 | 第26-28页 |
| 2.2 SnO2纳米线的制备与表征 | 第28-33页 |
| 2.2.1 纳米线的制备 | 第28-29页 |
| 2.2.2 纳米线的表征 | 第29-33页 |
| 2.2.3 小结 | 第33页 |
| 2.3 单根 SnO2纳米线器件的构筑 | 第33-35页 |
| 2.3.1 电场组装机理 | 第34页 |
| 2.3.2 实验组装过程 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 退火和紫外光对单根 SnO2纳米线输运性质的影响 | 第38-48页 |
| 3.1 引言 | 第38页 |
| 3.2 单根 SnO2纳米线器件的输运特性 | 第38-45页 |
| 3.2.1 退火对单根 SnO2纳米线器件输运的影响 | 第40-41页 |
| 3.2.2 单根 SnO2纳米线对紫外光的响应 | 第41-43页 |
| 3.2.3 氧吸附对 SnO2纳米线输运电流的影响 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 单根 SnO2纳米线器件气敏性质研究 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 单根 SnO2纳米线器件的气敏测试 | 第49-52页 |
| 4.2.1 不同接触类型的单根 SnO2纳米线器件的气敏测试 | 第50-51页 |
| 4.2.2 气敏机理 | 第51-52页 |
| 4.3 紫外光对单根 SnO2纳米线器件气敏特性的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.1 紫外光增强单根纳米线器件气敏特性的机理 | 第53-54页 |
| 4.4 负载有金纳米颗粒单根 SnO2纳米线的气敏测试 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 论文总结与展望 | 第60-62页 |
| 硕士期间完成的工作 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
