| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-33页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器 | 第9-11页 |
| 1.3 新型非挥发性存储器研究进展 | 第11-12页 |
| 1.4 电阻开关效应分类 | 第12-14页 |
| 1.5 电阻存储器的阻变机制 | 第14-23页 |
| 1.5.1 灯丝模型 | 第14-18页 |
| 1.5.2 缺陷能级的电荷俘获和释放机制 | 第18-20页 |
| 1.5.3 空间电荷限制电流机制（SCLC） | 第20-21页 |
| 1.5.4 普尔‐法兰克发射机制 | 第21页 |
| 1.5.5 肖特基发射机制 | 第21-23页 |
| 1.6 电阻存储器性能参数 | 第23-24页 |
| 1.7 ZnO 的基本性质 | 第24-29页 |
| 1.7.1 ZnO 的晶体结构 | 第24-25页 |
| 1.7.2 ZnO 的电学特性 | 第25-28页 |
| 1.7.3 ZnO 的光学特性 | 第28-29页 |
| 1.8 ZnO 薄膜及其电阻开关器件研究现状 | 第29-31页 |
| 1.9 论文选题意义及内容 | 第31-32页 |
| 1.10 论文组织架构 | 第32-33页 |
| 第二章 薄膜样品制备及表征技术 | 第33-40页 |
| 2.1 薄膜制备技术 | 第33-35页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第33-34页 |
| 2.1.2 真空蒸镀法 | 第34页 |
| 2.1.3 脉冲激光沉积法(PLD) | 第34页 |
| 2.1.4 溶胶‐凝胶法（Sol‐gel） | 第34-35页 |
| 2.2 薄膜表征技术 | 第35-39页 |
| 2.2.1 X 射线衍射 | 第35-37页 |
| 2.2.2 原子力显微镜（AFM） | 第37页 |
| 2.2.3 光致发光（PL） | 第37页 |
| 2.2.4 膜厚测试 | 第37页 |
| 2.2.5 电阻率测试 | 第37-38页 |
| 2.2.6 电阻开关特性测试 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 Mn 掺杂 ZnO 薄膜及器件样品制备 | 第40-48页 |
| 3.1 溶胶‐凝胶法制备薄膜基本原理 | 第40-41页 |
| 3.2 实验原材料及仪器设备 | 第41-42页 |
| 3.2.1 实验原材料 | 第41页 |
| 3.2.2 实验仪器设备 | 第41-42页 |
| 3.3 Mn 掺杂 ZnO 薄膜制备过程 | 第42-45页 |
| 3.3.1 Mn 掺杂 ZnO 薄膜制备工艺流程 | 第42页 |
| 3.3.2 基片及玻璃仪器的清洗 | 第42-43页 |
| 3.3.3 溶胶的配制 | 第43-44页 |
| 3.3.4 陈化 | 第44页 |
| 3.3.5 涂膜 | 第44-45页 |
| 3.3.6 预热处理 | 第45页 |
| 3.4 退火处理 | 第45-46页 |
| 3.5 电极蒸镀 | 第46-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 不同 Mn 掺杂浓度对氧化锌薄膜性能的影响 | 第48-55页 |
| 4.1 Mn 掺杂对 ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 Mn 掺杂对 ZnO 薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 Mn 掺杂对 ZnO 薄膜光致发光特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 退火处理对 Mn 掺杂氧化锌薄膜性能的影响 | 第55-61页 |
| 5.1 退火温度对 1%Mn 掺杂氧化锌薄膜晶体结构和电阻率的影响 | 第55-58页 |
| 5.1.1 退火温度对 1%Mn 掺杂氧化锌薄膜晶体结构的影响 | 第55-57页 |
| 5.1.2 退火温度对 1%Mn 掺杂氧化锌薄膜电阻率的影响 | 第57-58页 |
| 5.2 退火时间对 1%Mn 掺杂氧化锌薄膜电阻率的影响 | 第58-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 基于无掺杂 ZnO 薄膜的器件电阻开关特性研究 | 第61-68页 |
| 6.1 Al/ZnO/ITO 器件电阻开关类型研究 | 第61-62页 |
| 6.2 Al/ZnO/ITO 器件的导电机制研究 | 第62-67页 |
| 6.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第七章 基于 Zn_(0.99)Mn_(0.01)O 薄膜的器件电阻开关特性研究 | 第68-73页 |
| 7.1 退火温度对器件 Al/Zn_(0.99)Mn_(0.01)O/ITO 电阻开关特性的影响 | 第68-70页 |
| 7.2 退火时间对器件 Al/Zn_(0.99)Mn_(0.01)O/ITO 电阻开关特性的影响 | 第70-72页 |
| 7.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第八章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 8.1 结论 | 第73-74页 |
| 8.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第82页 |
