首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

天通公司快速硅单晶生长工艺控制系统的设计与实现

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 太阳能用硅材料发展第13页
    1.3 太阳能用硅单晶及其制备技术第13-15页
        1.3.1 太阳能用硅单晶第13-14页
        1.3.2 硅单晶制备技术第14-15页
    1.4 直拉法(CZ)长晶炉结构与硅单晶生长工艺过程第15-17页
        1.4.1 直拉法单晶炉结构第15-16页
        1.4.2 直拉法硅单晶生长工艺过程第16-17页
    1.5 课题研究的意义和内容第17-20页
        1.5.1 国内外研究现状及发展趋势第17-18页
        1.5.2 研究意义第18页
        1.5.3 本课题研究的主要内容及方法第18-20页
第二章 S-150型长晶炉的热场模拟分析设计第20-41页
    2.1 硅单晶生长热场及传热方式简介第20-24页
        2.1.1 硅单晶热场系统介绍第20-21页
        2.1.2 硅单晶热场系统的传热方式第21-22页
        2.1.3 晶体生长界面处的热输运方程第22-24页
    2.2 FEMAG-CZ模拟仿真软件及有限元分析简介第24-26页
        2.2.1 FEMAG-CZ模拟仿真软件简介第24-25页
        2.2.2 有限元数学模型分析方式第25-26页
    2.3 FEMAG-CZ模拟仿真软件在硅单晶生长中的运用第26页
    2.4 S-150型长晶炉稳态热场数值模拟第26-30页
        2.4.1 创建S-150型长晶炉的几何模型第27-28页
        2.4.2 物性参数和基本条件设置第28-30页
    2.5 三维热场模拟图形建立与计算结果分析第30-40页
        2.5.1 模拟不同晶体生长过程中能耗消耗分析第30-34页
        2.5.2 模拟热场使用不同保温材料进行长晶试验模拟第34-36页
        2.5.3 对不同形状的导流筒长晶热场温度分布分析第36-38页
        2.5.4 对不同形状的导流筒长晶界面形状分析第38-40页
    2.6 小结第40-41页
第三章 S-150型长晶炉的自动收尾程序设计第41-72页
    3.1 硅单晶生长收尾简介第41-42页
    3.2 可编程逻辑控制器(PLC)与人机界面PROFACE简介第42-43页
        3.2.1 可编程逻辑控制器(PLC)简介第42-43页
        3.2.2 人机界面Proface简介第43页
    3.3 S-150型长晶炉收尾程序控制系统功能模块第43-48页
        3.3.1 PLC主控模块第43-45页
        3.3.2 输入输出驱动模块温度控制第45页
        3.3.3 温度报警模块第45-46页
        3.3.4 温度控传感制模块第46-47页
        3.3.5 智能模拟量输出模块第47页
        3.3.6 智能模拟量输入模块第47-48页
    3.4 S-150型长晶炉收尾程序自动控制的实现第48-63页
        3.4.1 通讯模块第49-50页
        3.4.2 时间控制模块第50-51页
        3.4.3 系统操作控制参数SOP程序的编写第51-53页
        3.4.4 系统操作控制模块第53-54页
        3.4.5 系统的双入、双出解耦控制设计第54-58页
        3.4.6 解耦控制设计第58-63页
    3.5 S-150型长晶炉收尾进程自动控制人机界面第63-71页
        3.5.1 收尾进程人机控制界面第63-65页
        3.5.2 收尾进程参数设置界面第65-66页
        3.5.3 收尾进程控制流程第66-69页
        3.5.4 收尾进程PLC液面计算控制程序SP代码第69-71页
    3.6 小结第71-72页
第四章 硅单晶生长过程中埚随比计算软件第72-85页
    4.1 问题提出及意义第72页
    4.2 埚随比精确计算分析第72-75页
    4.3 埚随比计算软件设计实现第75-84页
        4.3.1 软件设计计算思路分析第75-78页
        4.3.2 埚随比计算软件的实现第78-84页
    4.4 小结第84-85页
第五章 结论第85-87页
    5.1 全文工作总结第85页
    5.2 未来工作展望第85-87页
致谢第87-88页
参考文献第88-91页

论文共91页,点击 下载论文
上一篇:LTE上行虚拟MIMO用户配对算法研究
下一篇:高K介质槽型功率MOS研究