非晶硅反熔丝的工艺实现和存储器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 本课题的背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的研究目的和主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 非晶硅反熔丝薄膜的制备原理与表征参数 | 第13-22页 |
| 2.1 非晶硅的原子结构和能带结构 | 第13-16页 |
| 2.2 非晶硅的制备方法 | 第16-18页 |
| 2.3 表征参数 | 第18-20页 |
| 2.3.1 傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第18-20页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第20页 |
| 2.4 电学测量 | 第20-21页 |
| 2.5 小结 | 第21-22页 |
| 第三章 非晶硅反熔丝制备工艺参数的研究 | 第22-42页 |
| 3.1 上电极面积和形状对非晶硅反熔丝性能的研究 | 第22-27页 |
| 3.1.1 上电极面积的测试分析 | 第22-24页 |
| 3.1.2 上电极形状的测试分析 | 第24-27页 |
| 3.2 工艺参数影响非晶硅反熔丝性能的研究 | 第27-38页 |
| 3.2.1 衬底温度的测试分析 | 第27-32页 |
| 3.2.2 制备压强的测试分析 | 第32-35页 |
| 3.2.3 射频功率的测试分析 | 第35-38页 |
| 3.3 上电极面积、形状及工艺参数的总结与分析 | 第38-39页 |
| 3.4 非晶硅反熔丝薄膜中氢含量对击穿特性的影响 | 第39-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 存储器电路原理图、版图及仿真 | 第42-59页 |
| 4.1 存储器结构 | 第42页 |
| 4.2 反熔丝存储单元结构及工作原理 | 第42-43页 |
| 4.3 存储器电路设计 | 第43-55页 |
| 4.3.1 芯片译码电路设计 | 第43-44页 |
| 4.3.2 读出电路系统设计 | 第44-50页 |
| 4.3.3 编程电路的设计及仿真 | 第50-55页 |
| 4.4 电路的版图设计 | 第55-58页 |
| 4.4.1 MOS管版图的设计 | 第55-56页 |
| 4.4.2 存储单元版图的设计 | 第56页 |
| 4.4.3 读出电路和编程电路版图设计 | 第56-58页 |
| 4.5 小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第64-65页 |
