当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜工艺优化及其压敏特性研究
大尺寸Cd1-xZnxTe晶体籽晶垂直布里奇曼法生长技术与性能表征
磁控溅射制备透明导电氧化物薄膜一些研究
Ce1Y2Fe5O12和HfxZn1-xO薄膜的制备及性能研究
机械合金化制备氧化锌稀磁半导体材料
半导体氧化物纳米结构的合成、光学及场发射性能研究
基于Ⅲ-Ⅴ稀磁半导体铁磁性能的数值计算
多孔硅的湿度传感特性研究
一维碳化硅纳米材料的制备与性能的基础研究
热电材料的电子结构研究—掺杂对单晶材料热电性能的影响
基于预处理衬底GaN外延生长及器件研究
分子束外延生长Er2O3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备
PCM参数的改进和在FAB间的匹配
不同形貌的ZnO纳米结构的制备及其表征
半导体ZnO微米/纳米结构制备及其性质研究
光子晶体谐振腔特性分析
应用于中红外波段的多孔氧化硅一维光子晶体研究
ZnO电子结构的第一性原理研究
纳米半导体ZnO/Cu2O复合材料的制备和表征
水溶性荧光量子点的合成及修饰
SiC薄膜的VLS选择性生长研究
PLZT薄膜电学和光学性能及电光器件原理研究
SiC/Si薄膜的CVD制备研究
Cd掺杂BZN薄膜的制备和性能研究
ZnO薄膜制备及声传感器结构仿真
电化学沉积法制备ZnO薄膜的研究
溶胶—凝胶法制备的PEG/SiO2定形相变材料的研究
Bi系层状铁电薄膜BTO和SBTO的结构和性能研究
六棱管状ZnO薄膜的电学特性研究
无铅高居里温度PTC材料的研究
纳米硅在SIMOX材料抗辐照加固中的应用研究
干法刻蚀和离子注入影响Ⅲ-Ⅴ族半导体量子阱发光特性研究
太赫兹场和磁场作用下超晶格非线性动力学研究
半导体二维电子气太赫兹光吸收特性研究
GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
制造工艺对超深亚微米铝互连线电迁移可靠性的影响
新型硅基薄膜材料转移技术的研究
相变材料研究
利用Pseudo-MOS方法研究改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应
硅集成探针技术及微纳摩擦效应研究
He离子注入单晶硅空腔生长及He热释放研究
SiC热氧化SiO2层结构的光谱学表征
利用对靶磁控溅射在不同衬底上制备氧化钒薄膜的研究
磁控溅射制备三氧化钨气敏薄膜
MEMS中多孔硅的原电池法制备及绝热性能模拟
新型磁性半导体（Sn，Mn）O2和（Cu，Mn）O的物性研究
二氧化钛及其改性薄膜的制备
Cz晶体生长系统中热对流的热力学稳定性分析
无氟-MOD法制备DBCO外延薄膜及工艺研究
化学气相法制备碳纳米管材料
上一页
[42]
[43]
[44]
[45]
[46]
下一页
