| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-27页 |
| ·刻蚀技术的分类及特点 | 第11-12页 |
| ·干法刻蚀技术的发展历程 | 第12-14页 |
| ·四种典型的干法刻蚀技术 | 第14-17页 |
| ·等离子体刻蚀 | 第14-15页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第15-16页 |
| ·离子铣 | 第16-17页 |
| ·聚焦离子束刻蚀 | 第17页 |
| ·干法刻蚀工艺在光电器件制作中的应用 | 第17-18页 |
| ·干法刻蚀引起材料及器件损伤 | 第18-25页 |
| ·材料及器件损伤起因 | 第18页 |
| ·材料及器件损伤检验方法 | 第18-24页 |
| ·减小材料及器件损伤的方法 | 第24-25页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第二章 干法刻蚀损伤机理及理论计算 | 第27-40页 |
| ·干法刻蚀损伤产生机理 | 第27-29页 |
| ·干法刻蚀损伤理论计算 | 第29-39页 |
| ·干法刻蚀导致缺陷的产生 | 第29-31页 |
| ·干法刻蚀缺陷分布 | 第31-36页 |
| ·干法刻蚀损伤深度 | 第36-38页 |
| ·干法刻蚀改变外延层电导 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 III-V族量子阱材料制备、刻蚀、注入和光谱测量系统 | 第40-53页 |
| ·分子束外延技术制备III-V族量子阱材料 | 第40-44页 |
| ·MBE的原理及其特点 | 第41-42页 |
| ·MBE生长过程 | 第42页 |
| ·V90 GSMBE系统介绍 | 第42-44页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术制备III-V族氮化物材料 | 第44-47页 |
| ·MOCVD技术特点 | 第44页 |
| ·金属有机化合物(MO)源材料 | 第44-45页 |
| ·MOCVD生长系统介绍 | 第45-47页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术 | 第47-50页 |
| ·ICP反应器原理 | 第47-48页 |
| ·ICP-98C刻蚀设备介绍 | 第48-50页 |
| ·离子注入技术 | 第50-51页 |
| ·光致发光谱测量技术 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 干法刻蚀及离子注入对量子阱材料发光特性的影响 | 第53-77页 |
| ·干法刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤 | 第53-57页 |
| ·实验方法 | 第53-54页 |
| ·实验结果和讨论 | 第54-57页 |
| ·干法刻蚀对InAsP/InP多量子阱和InAsP/InGaAsP单量子阱发光的影响 | 第57-64页 |
| ·实验方法 | 第58-59页 |
| ·实验结果和讨论 | 第59-64页 |
| ·干法刻蚀对InGaN/AlGaN量子阱材料发光特性的影响 | 第64-69页 |
| ·实验方法 | 第65页 |
| ·实验结果和讨论 | 第65-69页 |
| ·离子注入对量子阱发光特性的影响 | 第69-75页 |
| ·离子注入参数计算 | 第69-70页 |
| ·离子注入在量子阱材料内部产生损伤 | 第70-72页 |
| ·离子注入对InAsP/InP双量子阱发光特性的影响 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 干法刻蚀量子阱发光的温度特性 | 第77-88页 |
| ·量子阱发光特性与温度关系的理论计算 | 第77-80页 |
| ·温度和量子阱能带的关系 | 第77-79页 |
| ·温度与激子束缚能的关系 | 第79-80页 |
| ·InAsP/InGaAsP应变单量子阱发光的温度特性 | 第80-85页 |
| ·实验方法 | 第80-81页 |
| ·实验结果和讨论 | 第81-85页 |
| ·InASP/InP应变多量子阱发光的温度特性 | 第85-87页 |
| ·实验方法 | 第85-86页 |
| ·实验结果和讨论 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 干法刻蚀及离子注入诱导量子阱混杂 | 第88-99页 |
| ·四种不同的量子阱混杂技术 | 第88-91页 |
| ·离子注入诱导组分无序(IID) | 第88-89页 |
| ·无杂质空位诱导量子阱无序(IFVD) | 第89-90页 |
| ·脉冲光吸收诱导量子阱无序(PPAID) | 第90页 |
| ·ICP刻蚀诱导量子阱混杂 | 第90-91页 |
| ·ICP刻蚀诱导量子阱混杂实验 | 第91-94页 |
| ·ICP诱导InGaAs/InGaAsP多量子阱混杂介绍 | 第91-92页 |
| ·ICP诱导InAsP/InP多量子阱混杂实验 | 第92-94页 |
| ·离子注入诱导量子阱混杂实验 | 第94-97页 |
| ·H~+注入诱导InAsP/InP双量子阱混杂 | 第94-95页 |
| ·P~+注入诱导InAsP/InGaAsP单量子阱混杂 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第七章 结论 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-114页 |
| 发表文章及申请专利目录 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 作者简历 | 第116页 |
