| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·SOI材料的制备技术 | 第8-9页 |
| ·SOI技术的优点 | 第9-10页 |
| ·SOl技术存在的问题 | 第10-13页 |
| ·翘曲效应(Kinkeffect) | 第10-11页 |
| ·自加热效应 | 第11页 |
| ·寄生晶体管效应 | 第11-12页 |
| ·浮体效应 | 第12页 |
| ·总剂量辐照效应 | 第12-13页 |
| ·SOI技术在抗辐照领域的研究现状和发展趋势 | 第13-16页 |
| ·课题研究背景及本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 SOI器件的总剂量辐照效应 | 第18-28页 |
| ·总剂量辐照效应的基本原理 | 第18-20页 |
| ·基于SOI技术的MOSFET的结构 | 第20-21页 |
| ·SOl MOSFET的总剂量辐照效应 | 第21-24页 |
| ·SOI绝缘埋层的总剂量辐照效应 | 第21-23页 |
| ·PD MOSFET/SOI的泄漏电流 | 第23页 |
| ·总剂量辐照效应的偏置依赖关系 | 第23-24页 |
| ·SOI材料的总剂量加固 | 第24-26页 |
| ·SOI材料的总剂量辐照效应表征 | 第26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 SOI材料总剂量辐照效应的Pseudo—MOS表征方法 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·Pseudo-MOS方法的基本原理 | 第28-31页 |
| ·Pseudo-MOS参数的提取 | 第31-33页 |
| ·Pseudo-MOS的分离电荷机制 | 第33-34页 |
| ·Pseudo-MOS的影响因素 | 第34-38页 |
| ·漏电压 | 第34-35页 |
| ·几何参数 | 第35-37页 |
| ·材料参数 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 注硅改性SIMOX SOI材料的制备与表征 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·注硅改性SIMOX SOl材料的制备 | 第39-40页 |
| ·材料微观结构表征 | 第40-49页 |
| ·扩展电阻(SRP)分析 | 第40-43页 |
| ·原子力显微镜(AFM)分析 | 第43-46页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第46-49页 |
| ·几种常见SIMOX SOl材料注硅改性工艺的TRIM模拟 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 Pseudo—MOS方法表征SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应 | 第55-66页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·Pseudo—MOS样品的制备 | 第55-56页 |
| ·辐照试验与表征测试 | 第56-61页 |
| ·氧化物电荷和界面电荷分析 | 第61-64页 |
| ·讨论与分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 个人简历 | 第78-79页 |
