| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| §1.1 分子束外延生长技术简介 | 第8页 |
| §1.2 MOS器件尺寸的缩小及高k材料的研究 | 第8-16页 |
| §1.3 磁性半导体的研究历程和现状 | 第16-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 薄膜生长技术与表征手段 | 第22-39页 |
| §2.1 分子束外延生长与退火技术 | 第22-27页 |
| §2.1.1 分子束外延技术 | 第22-25页 |
| §2.1.2 退火技术 | 第25-27页 |
| §2.2 样品表征手段 | 第27-38页 |
| §2.2.1 样品表面形貌与结构表征手段 | 第27-31页 |
| §2.2.2 样品电学性质表征手段 | 第31-35页 |
| §2.2.3 其它一些表征手段 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 外延氧化铒薄膜材料的生长 | 第39-45页 |
| §3.1 引言 | 第39-41页 |
| §3.2 在硅(001)与硅(111)衬底上外延生长氧化铒薄膜材料 | 第41-43页 |
| §3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 外延氧化铒薄膜材料的结构、形貌与电学性质 | 第45-73页 |
| §4.1 外延氧化铒薄膜材料的结构与形貌 | 第45-53页 |
| §4.1.1 外延氧化铒薄膜的晶体结构与外延取向 | 第45-49页 |
| §4.1.2 外延氧化铒薄膜的表面形貌 | 第49-51页 |
| §4.1.3 外延氧化铒薄膜与硅衬底的界面 | 第51-53页 |
| §4.2 外延氧化铒薄膜材料的电学性质 | 第53-68页 |
| §4.2.1 氧气氛下低温退火后外延氧化铒薄膜的表面与界面 | 第53-56页 |
| §4.2.2 外延氧化铒薄膜的C-V特性 | 第56-58页 |
| §4.2.3 外延氧化铒薄膜C-V曲线积累端电容值随频率变化的初步分析 | 第58-67页 |
| §4.2.4 外延氧化铒薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第67-68页 |
| §4.3 外延氧化铒薄膜的时间稳定性 | 第68-70页 |
| §4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 外延氧化铒薄膜材料的热稳定性 | 第73-84页 |
| §5.1 引言 | 第73-74页 |
| §5.2 气氛对外延氧化铒薄膜热稳定性的影响 | 第74-76页 |
| §5.3 温度对外延氧化铒薄膜热稳定性的影响 | 第76-80页 |
| §5.4 衬底晶向对外延氧化铒薄膜热稳定性的影响 | 第80-82页 |
| §5.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第六章 硅基磁性半导体的初步研究 | 第84-98页 |
| §6.1 引言 | 第84页 |
| §6.2 锰掺杂的硅薄膜的生长和物性 | 第84-89页 |
| §6.3 铁在硅中掺杂能级位置的测量 | 第89-93页 |
| §6.4 铁掺杂的硅薄膜的生长条件与其表面形貌的关系 | 第93-96页 |
| §6.5 本章小结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第98-99页 |
| 攻读博士学位期间参加的国内会议 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
