| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| §1.1 GaN基材料与器件研究的意义 | 第10-11页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物材料及其基本性质 | 第11-14页 |
| §1.3 GaN基材料与器件的研究历史与现状 | 第14-23页 |
| §1.3.1 材料制备 | 第14-15页 |
| §1.3.2 GaN外延衬底的选择 | 第15-17页 |
| §1.3.3 关键制备技术及工艺 | 第17-20页 |
| §1.3.4 GaN基光电子器件 | 第20-23页 |
| §1.4 本论文主要工作和安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-33页 |
| 第二章 GaN的MOCVD外延生长技术 | 第33-50页 |
| §2.1 薄膜生长的一般原理 | 第33-37页 |
| §2.2 MOCVD系统原理 | 第37-44页 |
| §2.2.1 GaN的MOCVD外延生长机制 | 第37-40页 |
| §2.2.2 MOCVD系统的组成 | 第40-43页 |
| §2.2.3 本论文使用的MOCVD系统 | 第43-44页 |
| §2.3 激光反射在位监测系统 | 第44-47页 |
| §2.3.1 在位监测系统配置及光学原理 | 第44-45页 |
| §2.3.2 在位监测曲线的阶段分析 | 第45-46页 |
| §2.3.3 外延层厚度及生长速率的计算 | 第46-47页 |
| §2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 表面处理蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜 | 第50-78页 |
| §3.1 蓝宝石衬底的表面处理 | 第50-52页 |
| §3.2 GaN外延膜中位错的DC-XRD测量 | 第52-58页 |
| §3.3 表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜 | 第58-67页 |
| §3.3.1 实验过程 | 第58-59页 |
| §3.3.2 测试结果及讨论 | 第59-67页 |
| §3.4 蓝宝石衬底表面形貌对GaN薄膜的影响 | 第67-74页 |
| §3.4.1 实验过程 | 第67页 |
| §3.4.2 测试结果及讨论 | 第67-74页 |
| §3.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第四章 GaN光学性质的研究 | 第78-107页 |
| §4.1 光学常数及色散关系 | 第78-80页 |
| §4.2 GaN椭圆偏振光谱的研究 | 第80-92页 |
| §4.2.1 椭圆偏振光谱的基本原理 | 第81-86页 |
| §4.2.2 GaN折射率的椭圆偏振光谱研究 | 第86-92页 |
| §4.3 衬底表面处理对GaN光学性质的影响 | 第92-98页 |
| §4.4 表面处理时间对GaN光学性质的影响 | 第98-103页 |
| §4.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 第五章 表面处理蓝宝石衬底上蓝光LED的研究 | 第107-126页 |
| §5.1 InGaN发光机制的三种模型 | 第107-112页 |
| §5.2 InGaN/GaN多量子阱的结构与光学性能的研究 | 第112-115页 |
| §5.2.1 实验过程 | 第112-113页 |
| §5.2.2 InGaN/GaN多量子阱的结构与光学性能 | 第113-115页 |
| §5.3 GaN基LED器件 | 第115-122页 |
| §5.3.1 LED器件制作工艺 | 第116-117页 |
| §5.3.2 发光二极管主要特征参数 | 第117-120页 |
| §5.3.3 正向电流对发光二极管发射光谱的影响 | 第120-122页 |
| §5.4 GaN蓝光LED的最终性能指标 | 第122-123页 |
| §5.5 本章小结 | 第123页 |
| 参考文献 | 第123-126页 |
| 第六章 总结与展望 | 第126-131页 |
| §6.1 全文总结 | 第126-128页 |
| §6.2 工作展望 | 第128-131页 |
| 攻读博士期间发表的文章及专利 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
