| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·超深亚微米铝互连线电迁移问题的重要性 | 第8-9页 |
| ·超深亚微米铝互连线电迁移可靠性面临的挑战 | 第9-11页 |
| ·本论文的工作 | 第11-13页 |
| 第二章 铝互连线电迁移问题的研究背景 | 第13-43页 |
| ·电迁移现象 | 第13-14页 |
| ·电迁移理论 | 第14-18页 |
| ·扩散理论 | 第14-15页 |
| ·电子风理论 | 第15-16页 |
| ·离子流的散度方程 | 第16-18页 |
| ·铝互连线电迁移可靠性研究方法综述 | 第18-36页 |
| ·测试结构的设计规范和制造流程 | 第18-21页 |
| ·封装级和晶圆级电迁移测试方法 | 第21-26页 |
| ·互连线结构特性表征方法 | 第26-36页 |
| ·铝互连线电迁移问题的文献综述 | 第36-43页 |
| 第三章 衬底工艺对铝互连线结构和电迁移可靠性的影响 | 第43-68页 |
| ·三种Ti衬底溅射工艺 | 第43-47页 |
| ·溅射原理与溅射系统 | 第43-44页 |
| ·三种Ti薄膜沉积工艺 | 第44-47页 |
| ·三种Ti衬底工艺对铝互连线结构和电迁移可靠性的影响 | 第47-59页 |
| ·实验准备与实验过程 | 第47-48页 |
| ·薄膜的结构和性质 | 第48-56页 |
| ·电迁移测试结果 | 第56-57页 |
| ·分析与讨论 | 第57-59页 |
| ·金属等离子体溅射工艺中衬底偏压的影响 | 第59-67页 |
| ·实验准备与实验过程 | 第59-60页 |
| ·薄膜的结构和性质 | 第60-65页 |
| ·分析与讨论 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第四章 制造工艺对电流拥挤效应及电迁移可靠性的影响 | 第68-92页 |
| ·研究背景 | 第68-70页 |
| ·研究方向 | 第68-69页 |
| ·研究方法 | 第69-70页 |
| ·电流拥挤与电迁移的定量关系 | 第70-76页 |
| ·CDE模型的建立 | 第70-73页 |
| ·CDE模型的初步验证 | 第73-76页 |
| ·CDE模型在插塞终端型铝互连结构上的验证 | 第76-86页 |
| ·实验设计 | 第76-77页 |
| ·数值模拟结果 | 第77-81页 |
| ·薄膜特性和电迁移测试结果 | 第81-83页 |
| ·分析与讨论 | 第83-86页 |
| ·基于CDE模型的其它模拟结果 | 第86-90页 |
| ·模型的物理图像与适用性 | 第86页 |
| ·不同叠层组合下电流分布的模拟结果 | 第86-90页 |
| ·小结 | 第90-92页 |
| 第五章 制造工艺对界面反应及电迁移可靠性的影响 | 第92-104页 |
| ·实验设计 | 第92-93页 |
| ·实验结果 | 第93-100页 |
| ·薄膜的结构和性质 | 第93-97页 |
| ·电流分布情况 | 第97页 |
| ·电迁移测试结果 | 第97-100页 |
| ·分析与讨论 | 第100-102页 |
| ·小结 | 第102-104页 |
| 第六章 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-112页 |
| 附录1 利用Maxwell软件模拟连线中电流分布的方法 | 第112-114页 |
| 附录2 半导体芯片中常见元素的主要特征X射线能量 | 第114-115页 |
| 附录3 攻读博士学位期间发表的文章和申请的专利 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 作者简历 | 第117-118页 |
