| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-5页 |
| 第1章 课题背景 | 第5-13页 |
| ·本课题背景和问题的提出 | 第5-6页 |
| ·器件结构简介 | 第6-10页 |
| ·双极型晶体管/Bi-CMOS 工艺的优点 | 第10-12页 |
| ·多晶硅发射极BJT 的优点 | 第12-13页 |
| 第2章 NPN 晶体管/ 扩散致窄电阻的研究 | 第13-36页 |
| ·双极型晶体管的基本工作原理 | 第13-15页 |
| ·氧化硅在NPN 型晶体管放大倍数控制上的作用 | 第15-19页 |
| ·双极型晶体管的设计 | 第19-22页 |
| ·双极型晶体管放大倍数/ 扩散致窄电阻的改善 | 第22-34页 |
| ·结论 | 第34-36页 |
| 第3章 横向PNP 晶体管放大倍数的研究 | 第36-44页 |
| ·EPI 掺杂浓度对横向PNP 晶体管放大倍数的影响 | 第36-38页 |
| ·RTO 对横向PNP 晶体管放大倍数的影响 | 第38-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 第4章 MISCAP 和VARACTOR 的研究 | 第44-51页 |
| ·MISCAP 电容值的调节 | 第44-47页 |
| ·VARACTOR 电容值的调节 | 第47-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第5章 课题结论 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第56页 |