| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第10-13页 |
| ·ZnO 的晶格结构和基本参数 | 第10-11页 |
| ·ZnO 薄膜的能带结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的本征缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第13-15页 |
| ·太阳能电池 | 第13页 |
| ·紫外光探测器 | 第13-14页 |
| ·短波发光器件 | 第14页 |
| ·光电器件的单片集成 | 第14-15页 |
| ·ZnO 异质结的研究现状 | 第15-17页 |
| ·ZnO 异型异质结 | 第15-16页 |
| ·ZnO 同型异质结 | 第16-17页 |
| ·当前研究中的问题和发展趋势 | 第17-18页 |
| ·本课题的意义和主要工作 | 第18页 |
| ·本章小结 | 第18-19页 |
| 第二章 低维系统中的电荷特性及研究方法 | 第19-31页 |
| ·三维系统中的电荷分布 | 第19-21页 |
| ·状态密度 | 第19-20页 |
| ·载流子统计分布 | 第20-21页 |
| ·准二维系统中的电荷分布 | 第21-23页 |
| ·状态密度 | 第21-22页 |
| ·电荷分布特性 | 第22-23页 |
| ·自恰求解 | 第23-25页 |
| ·基本原理 | 第23-25页 |
| ·研究现状 | 第25页 |
| ·C-V 法提取能带不连续值 | 第25-28页 |
| ·基本原理 | 第25-27页 |
| ·研究现状 | 第27-28页 |
| ·薄氧化层MOS 结构的隧穿电流 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 管状ZnO 薄膜的等效模型及电容特性分析 | 第31-41页 |
| ·六棱微管氧化锌薄膜 | 第31页 |
| ·C-V 测量 | 第31-32页 |
| ·等效模型的建立 | 第32-33页 |
| ·电容特性模拟 | 第33-39页 |
| ·电容公式推导 | 第33-36页 |
| ·模型参数提取 | 第36-39页 |
| ·模拟结果 | 第39页 |
| ·载流子浓度分布 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 管状ZnO 薄膜中电荷分布特性的理论研究 | 第41-53页 |
| ·SCPS 法的计算过程 | 第41-44页 |
| ·泊松方程 | 第41-42页 |
| ·薛定谔方程 | 第42-43页 |
| ·自恰过程 | 第43-44页 |
| ·计算方法 | 第44-46页 |
| ·计算结果与讨论 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 ZnO/SiO_2界面隧穿电流的计算与分析 | 第53-62页 |
| ·样品中的电流组分 | 第53页 |
| ·ZnO/SiO_2 界面的能带结构 | 第53-54页 |
| ·ZnO 界面电荷浓度分布和电子能级 | 第54-56页 |
| ·透射系数 | 第56-57页 |
| ·隧穿电流密度 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第69-70页 |