| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·半导体存储技术及非挥发性存储器发展综述 | 第9-12页 |
| ·相变存储器概述 | 第12-15页 |
| ·发展历史 | 第12-14页 |
| ·相变存储器原理 | 第14-15页 |
| ·相变材料概述 | 第15-23页 |
| ·非晶态与晶态的热力学解释 | 第16-17页 |
| ·晶化与非晶化过程的统一描述 | 第17-18页 |
| ·相变存储器用相变材料的遴选和优化 | 第18-19页 |
| ·相变材料的微观描述 | 第19-21页 |
| ·国内外相变材料研究现状 | 第21-23页 |
| ·本论文的选题与具体工作 | 第23-25页 |
| 第二章 相变材料Ge-2Sb-2Te-5和Sb-2Te-3结构研究 | 第25-37页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·相变材料的制备 | 第26-27页 |
| ·相变材料结构的XRD分析 | 第27-29页 |
| ·相变材料结构的Raman分析 | 第29-36页 |
| ·晶格振动谱 | 第29-30页 |
| ·相变材料的晶格振动谱 | 第30页 |
| ·Ge_2 Sb_2 Te_5的Raman模式确定 | 第30-34页 |
| ·Sb_2 Te_3的Raman模式确定 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 Sb_2 Te_3的Ag掺杂及其在CRAM器件中的应用 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·材料的制备和测试 | 第38页 |
| ·实验结果分析 | 第38-47页 |
| ·晶化机制 | 第38-41页 |
| ·电学性质 | 第41-42页 |
| ·器件应用 | 第42-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第四章 非晶相变材料电学行为的SPICE模型 | 第49-57页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·开关与相变 | 第49-50页 |
| ·模型特征描述 | 第50-51页 |
| ·SPICE模型的建立 | 第51-54页 |
| ·模型的验证和应用 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第五章 相变材料与钨电极的粘附 | 第57-71页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验现象 | 第58-61页 |
| ·机制分析 | 第61-67页 |
| ·物理基础 | 第61页 |
| ·绞线状图形的源发点,终结点和几何形貌 | 第61-63页 |
| ·绞线状图形的时间演化与稳定性 | 第63-65页 |
| ·钨薄膜应力和界面附着能的估算 | 第65-67页 |
| ·解决方案 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结和展望 | 第71-73页 |
| ·总结 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及专利目录 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 个人简历 | 第85-86页 |
