| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·纳米材料的性能 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料 | 第14-15页 |
| ·一维纳米材料的生长机制 | 第15-18页 |
| ·气-液-固 | 第15-16页 |
| ·气-固 | 第16-17页 |
| ·氧化物辅助生长 | 第17-18页 |
| ·液-液-固 | 第18页 |
| ·一维纳米材料的应用 | 第18-22页 |
| ·纳米线传感器 | 第18-19页 |
| ·纳米线激光器 | 第19-20页 |
| ·逻辑门计算电路 | 第20-21页 |
| ·光催化 | 第21-22页 |
| ·功能复合材料 | 第22页 |
| ·场发射 | 第22页 |
| ·其它应用 | 第22页 |
| ·半导体β-SiC的基本性质和研究意义 | 第22-26页 |
| ·半导体β-SiC的基本性质 | 第22-25页 |
| ·研究意义 | 第25-26页 |
| ·β-SiC一维纳米材料制备方法 | 第26-28页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第26页 |
| ·碳纳米管模板法 | 第26-27页 |
| ·溶胶凝胶法与碳热还原法 | 第27-28页 |
| ·激光烧蚀 | 第28页 |
| ·电弧放电 | 第28页 |
| ·本论文选题背景和研究内容 | 第28-36页 |
| 第二章 SiC纳米线制备及表征 | 第36-59页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·实验装置 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·材料表征 | 第37-38页 |
| ·实验结果与分析 | 第38-40页 |
| ·XRD分析 | 第38-39页 |
| ·FESEM分析 | 第39页 |
| ·TEM(EDS)和HRTEM分析 | 第39-40页 |
| ·一些特殊结构的SiC | 第40-43页 |
| ·生成SiC纳米线热力学分析 | 第43-45页 |
| ·热力学计算理论基础及选用的热力学参数 | 第43-44页 |
| ·反应生成焓⊿H和Gibbs自由能⊿G的理论计算 | 第44-45页 |
| ·β-SiC生长过程和生长机制分析 | 第45-49页 |
| ·β-SiC生长过程 | 第45-46页 |
| ·β-SiC生长机制 | 第46-49页 |
| ·SiC纳米线的生长缺陷 | 第49-51页 |
| ·自组装Si-SiO_2纳米结构 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-59页 |
| 第三章 单根SiC纳米线的光电特性研究 | 第59-77页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·MOSFET晶体管简介 | 第60-61页 |
| ·MOSFET的基本结构和工作原理 | 第60-61页 |
| ·MOSFET的分类 | 第61页 |
| ·实验 | 第61-63页 |
| ·β-SiC纳米FET器件的制作 | 第61-62页 |
| ·电学性能的测量 | 第62-63页 |
| ·SiC-FET器件的电学特性 | 第63-70页 |
| ·SiC-FET的室温电学特性 | 第63-65页 |
| ·SiC-FET的温度电学特性 | 第65页 |
| ·SiC-FET的电学特性参量 | 第65-70页 |
| ·单根SiC-FET的简化模型 | 第70-72页 |
| ·SiC纳米FET器件的光敏感特性 | 第72-74页 |
| ·SiC-FET的I-t的特性 | 第73页 |
| ·SiC-FET的紫外敏感特性 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-77页 |
| 第四章 金属电极-SiC纳米线接触初探 | 第77-87页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·金属-半导体接触理论 | 第77-79页 |
| ·实验 | 第79页 |
| ·金属电极与SiC纳米线接触初步研究 | 第79-84页 |
| ·退火对电学性能的影响 | 第79-81页 |
| ·漏源端偏压对势垒的影响 | 第81-82页 |
| ·栅压对势垒的影响 | 第82-83页 |
| ·不同的金属电极对电学性能的影响 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-87页 |
| 第五章 新型纳米线薄膜晶体管 | 第87-105页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·传统薄膜晶体管 | 第88-91页 |
| ·薄膜晶体管的基底和沟道材料 | 第88-89页 |
| ·薄膜晶体管的薄膜制备方法 | 第89-90页 |
| ·薄膜晶体管计算理论 | 第90-91页 |
| ·实验 | 第91-92页 |
| ·新型NTFT的制作 | 第91-92页 |
| ·NTFT的电学性能表征 | 第92页 |
| ·结果与讨论 | 第92-102页 |
| ·薄膜晶体管I_(DS)-V_(DS)的关系特性 | 第92-93页 |
| ·薄膜晶体管I_(DS)-V_(GS)的关系特性 | 第93-97页 |
| ·温反对SiC纳米线薄膜晶体管性能的影啊 | 第97-98页 |
| ·SiC-NTFT的迁移率、跨导和阈值电压的温度特性 | 第98-100页 |
| ·SiC纳米线薄膜导电机理初探 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-105页 |
| 第六章 SiC纳米线光催化 | 第105-123页 |
| ·引言 | 第105-106页 |
| ·半导体材料的光催化原理及其影响因素 | 第106-108页 |
| ·半导体材料的光催化原理 | 第106-107页 |
| ·光催化剂的选择 | 第107页 |
| ·纳米光催化效应 | 第107-108页 |
| ·实验方法 | 第108-110页 |
| ·SiC纳米线光学透过率 | 第108-109页 |
| ·SiC纳米线的比表面积 | 第109页 |
| ·SiC光催化活性测定 | 第109-110页 |
| ·实验结果和分析 | 第110-118页 |
| ·SiC纳米线的比表面积和光学透过率 | 第110-111页 |
| ·SiC纳米线的光催化活性 | 第111-113页 |
| ·表面无SiO_2覆盖层SiC纳米线的光催化活性 | 第113-114页 |
| ·反应分析 | 第114-118页 |
| ·本章小结 | 第118-123页 |
| 第七章 总结与展望 | 第123-126页 |
| ·总结 | 第123-124页 |
| ·创新点 | 第124页 |
| ·展望 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 作者在攻读博士学位期间发表的论文 | 第127-131页 |