| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·本论文的主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 离子注入单晶Si基本过程及He离子注入单晶Si损伤过程综述 | 第11-21页 |
| ·离子注入形成的缺陷 | 第11-17页 |
| ·注入离子与原子的相互作用 | 第11-13页 |
| ·注入离子在材料中的运动轨迹 | 第13-14页 |
| ·He 与Si 形成的系统 | 第14-17页 |
| ·不同剂量He离子注入单晶硅形成损伤综述 | 第17-21页 |
| ·低剂量He 离子注入 | 第17-19页 |
| ·中等剂量He 离子注入 | 第19-20页 |
| ·高剂量He 离子注入 | 第20-21页 |
| 第三章 实验过程 | 第21-25页 |
| ·样品的制备 | 第21页 |
| ·样品的离子注入及退火 | 第21页 |
| ·注入及退火后样品的分析 | 第21-25页 |
| ·透射电子显微镜 | 第21-22页 |
| ·热解吸谱仪 | 第22-24页 |
| ·光致发光谱仪 | 第24-25页 |
| 第四章 实验结果 | 第25-36页 |
| ·XTEM 结果 | 第25-32页 |
| ·He 离子注入单晶Si 的结果 | 第25-28页 |
| ·He 离子注入含SiO_2层单晶Si 中的结果 | 第28-32页 |
| ·THDS 结果 | 第32-34页 |
| ·PL 谱结果 | 第34-36页 |
| 第五章 实验结果讨论 | 第36-41页 |
| ·Si中He注入空腔生长结果讨论 | 第36-38页 |
| ·纯单晶Si中结果讨论 | 第36页 |
| ·表面含SiO_2层单晶Si中结果讨论 | 第36-38页 |
| ·He注入Si中He气体热释放结果讨论 | 第38-40页 |
| ·PL 谱结果讨论 | 第40-41页 |
| 第六章 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |