| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 气敏传感器概述 | 第7-13页 |
| ·气敏传感器的基本概念 | 第7-8页 |
| ·电阻式气敏传感器的主要特性参数 | 第8-10页 |
| ·气敏传感器的发展概况 | 第10-13页 |
| ·国外气敏技术现状 | 第10-11页 |
| ·国内气敏技术现状 | 第11-12页 |
| ·半导体气敏传感器的发展方向 | 第12-13页 |
| 第二章 三氧化钨薄膜的制备方法 | 第13-26页 |
| ·制备WO_3气敏薄膜的一般方法 | 第13-17页 |
| ·溶胶－凝胶法(sol—ge1) | 第13-14页 |
| ·真空蒸发法 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第15页 |
| ·电沉积法 | 第15-16页 |
| ·溅射法 | 第16-17页 |
| ·对靶溅射的基本原理 | 第17-21页 |
| ·溅射的一般原理 | 第17-18页 |
| ·对靶反应磁控溅射机理 | 第18-21页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第21-23页 |
| ·薄膜材料的常用测试手段 | 第23-26页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第23-24页 |
| ·光电子能谱法（XPS） | 第24页 |
| ·X射线衍射法（XRD） | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25-26页 |
| 第三章 三氧化钨相关性质和表面改性机理 | 第26-32页 |
| ·WO_3 的晶体结构 | 第26-27页 |
| ·WO_3 薄膜的气敏机理 | 第27-29页 |
| ·表面改性的作用机理 | 第29-32页 |
| 第四章 实验 | 第32-42页 |
| ·基片处理 | 第34-35页 |
| ·制备引出电极 | 第35页 |
| ·制备加热薄膜 | 第35-36页 |
| ·磁控溅射制备WO_3薄膜 | 第36-38页 |
| ·薄膜的表面改性 | 第38-39页 |
| ·热处理 | 第39页 |
| ·气敏性能测试 | 第39-42页 |
| 第五章 三氧化钨薄膜理化分析与气敏性能分析 | 第42-66页 |
| ·制备工艺条件对薄膜性能的影响 | 第42-58页 |
| ·基片不同对薄膜性能的影响 | 第42-48页 |
| ·基片温度不同对薄膜性能的影响 | 第48-50页 |
| ·溅射气体比例对薄膜性能的影响 | 第50-53页 |
| ·热处理对薄膜性能的影响 | 第53-58页 |
| ·WO_3薄膜H2敏传感器制备与性能分析 | 第58-61页 |
| ·实验 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-61页 |
| ·TiO_2－WO_3基NO_2气敏传感器制备与性能分析 | 第61-66页 |
| ·实验 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-66页 |
| 第六章 全文总结与工作展望 | 第66-69页 |
| ·全文总结 | 第66-67页 |
| ·工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 硕士期间发表论文和申请专利 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |