| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-49页 |
| ·热电材料的研究历史及发展简介 | 第14-16页 |
| ·热电学基本理论 | 第16-22页 |
| ·基本热电效应 | 第16-18页 |
| ·热电器件工作原理及热电优值 | 第18-22页 |
| ·过渡族金属硅化物热电材料的研究进展 | 第22-34页 |
| ·过渡族金属硅化物热电材料及其研究进展 | 第22-29页 |
| ·CrSi_2热电材料的研究现状 | 第29-34页 |
| ·能带计算方法及计算所用软件介绍 | 第34-40页 |
| ·能带计算方法 | 第34-39页 |
| ·计算所用软件介绍 | 第39-40页 |
| ·本论文的研究目的及思路 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-49页 |
| 第二章 材料制备与试验方法 | 第49-66页 |
| ·试验流程 | 第49-51页 |
| ·材料制备 | 第51-54页 |
| ·材料选择与设计 | 第51页 |
| ·配料 | 第51-52页 |
| ·多晶材料的制备 | 第52页 |
| ·单晶材料的制备 | 第52-54页 |
| ·热电性能测试试样的制备 | 第54页 |
| ·材料的结构、微观组织分析及单晶生长方向的确定 | 第54-55页 |
| ·XRD 分析 | 第54页 |
| ·电子探针分析 | 第54页 |
| ·劳厄背散射分析 | 第54-55页 |
| ·热电性能测试方法 | 第55-64页 |
| ·电阻率与塞贝克系数的测试 | 第55-59页 |
| ·霍尔效应的测试 | 第59-61页 |
| ·热导率的测试 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第三章 热电化合物CoSi、β-FeSi_2及CoSb_3的电子结构研究 | 第66-93页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·Si 侧Al、P 置换掺杂对CoSi 电子结构及传输性能的影响 | 第66-74页 |
| ·电子结构计算方法 | 第66-67页 |
| ·CoSi_(1-x)Al_x与CoSi_(1-x)P_x的电子结构研究及Al、P置换掺杂分别对CoSi_(1-x)A_x与CoSi_(1-x)P_x的热电传输性能的影响 | 第67-74页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂及Fe 侧Co 置换掺杂对β-FeSi_2电子结构的影响 | 第74-82页 |
| ·电子结构计算方法 | 第75-76页 |
| ·β-FeSi_2、Fe(Si_(0.96875)Al_(0.03125))_2与Fe_(0.9375)Co_(0.0625)Si_2的电子结构计算结果及分析 | 第76-82页 |
| ·La 填充对CoSb_3的几何结构及电子结构的影响 | 第82-90页 |
| ·计算方法 | 第82-83页 |
| ·La 填充对CoSb_3几何结构的影响 | 第83-87页 |
| ·La 填充对CoSb_3电子结构的影响 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第四章 Si 侧Al 置换掺杂对CrSi_2单晶的电子结构及热电传输性能的影响 | 第93-111页 |
| ·引言 | 第93页 |
| ·CrSi_2及Si 侧Al 置换掺杂的Cr(Si_(1-x)Al_x)_2的电子结构 | 第93-97页 |
| ·计算方法 | 第93-94页 |
| ·CrSi_2及Al 置换掺杂的Cr(Si_(1-x)Al_x)_2的电子结构计算结果及分析 | 第94-97页 |
| ·Al 在CrSi_2中的固溶研究及Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2的晶格常数的影响 | 第97-101页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的热电传输性能的影响 | 第101-109页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂形成的Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的制备 | 第101-102页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的塞贝克系数的影响 | 第102-104页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的电阻率的影响 | 第104-105页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的热导率的影响 | 第105-108页 |
| ·Si 侧Al 置换掺杂对Cr(Si_(1-x)Al_x)_2单晶的热电优值的影响 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第五章 Cr 侧V 置换掺杂对CrSi_2单晶的电子结构及热电传输性能的影响 | 第111-125页 |
| ·引言 | 第111页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2的电子结构的影响 | 第111-113页 |
| ·计算方法 | 第111-112页 |
| ·V 置换掺杂的Cr_(1-x)V_xSi_2的电子结构计算结果及分析 | 第112-113页 |
| ·V 在CrSi_2中的固溶研究及V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2晶格常数的影响 | 第113-115页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的热电传输性能的影响 | 第115-122页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂形成的Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的制备 | 第115-116页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的塞贝克系数的影响 | 第116-118页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的电阻率的影响 | 第118-119页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的热导率的影响 | 第119-121页 |
| ·Cr 侧V 置换掺杂对Cr_(1-x)V_xSi_2单晶的热电优值的影响 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-125页 |
| 第六章 主要结论及创新点 | 第125-128页 |
| ·主要结论 | 第125-127页 |
| ·创新点 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第130页 |
