CVD法合成一维GaN纳米结构和GaN薄膜的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 前言 | 第13-14页 |
| 第一章 概述 | 第14-31页 |
| ·半导体纳米材料的分类与性质 | 第14-16页 |
| ·半导体材料的分类 | 第14-15页 |
| ·半导体纳米材料性质 | 第15-16页 |
| ·GaN材料的研究历史 | 第16-17页 |
| ·GaN基材料的基本特性 | 第17-20页 |
| ·物理特性 | 第17-19页 |
| ·化学特性 | 第19页 |
| ·电学性质 | 第19-20页 |
| ·光学特性 | 第20页 |
| ·GaN基材料的制备技术 | 第20-24页 |
| ·卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第21页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第21-22页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第22-23页 |
| ·化学束外延 | 第23-24页 |
| ·衬底的选择 | 第24-25页 |
| ·低维氮化镓材料的合成方法和基本情况 | 第25-26页 |
| ·氮化镓基材料的应用 | 第26-30页 |
| ·氮化镓基材料的光电器件 | 第26-28页 |
| ·氮化镓基电子器件 | 第28-29页 |
| ·正在探索中的新技术应用领域 | 第29-30页 |
| ·选题依据 | 第30-31页 |
| 第二章 实验仪器设备 | 第31-36页 |
| ·实验中使用的主要设备 | 第31-34页 |
| ·真空镀膜系统 | 第31-32页 |
| ·电流镀膜系统 | 第32页 |
| ·反应系统 | 第32-33页 |
| ·实验中其它设备 | 第33-34页 |
| ·实验试剂 | 第34页 |
| ·结构分析与表征仪器 | 第34-35页 |
| ·衬底的清洗 | 第35-36页 |
| 第三章 一维氮化镓纳米结构的合成 | 第36-67页 |
| ·氮化镓纳米带的合成 | 第36-42页 |
| ·氮化镓纳米带扫描电镜分析 | 第36-38页 |
| ·氮化镓纳米带的EDS分析 | 第38页 |
| ·氮化镓纳米带结构分析 | 第38-39页 |
| ·高分辨透射电镜分析 | 第39-40页 |
| ·氮化镓纳米带生长机理的讨论 | 第40-42页 |
| ·六角锥形氮化镓晶体的合成 | 第42-49页 |
| ·硅衬底和硅衬底上镍膜的形貌观察 | 第43-44页 |
| ·六角锥形氮化镓结构扫描电镜分析 | 第44-45页 |
| ·六角锥形氮化镓晶体的EDS分析 | 第45-46页 |
| ·六角锥形氮化镓晶体的结构分析 | 第46-47页 |
| ·六角锥形氮化镓晶体的透射电镜分析 | 第47-49页 |
| ·六角锥形氮化镓晶体生长机理的讨论 | 第49页 |
| ·氮化镓纳米线的合成 | 第49-55页 |
| ·硅衬底上镍膜的形貌观察 | 第50页 |
| ·氮化镓纳米线的扫描电镜分析 | 第50-51页 |
| ·氮化镓纳米线的EDS分析 | 第51-53页 |
| ·氮化镓纳米线的结构分析 | 第53页 |
| ·氮化镓纳米线的透射电镜分析 | 第53页 |
| ·氮化镓纳米线生长机理的讨论 | 第53-55页 |
| ·直接反应法合成蜿蜒曲折氮化镓纳米线 | 第55-57页 |
| ·产物形貌的分析 | 第55-56页 |
| ·直接法合成氮化镓纳米线的透射电镜分析 | 第56-57页 |
| ·一维氮化镓纳米结构生长规律的分析 | 第57-62页 |
| ·衬底形貌对产物形貌的影响 | 第57页 |
| ·氨气气流对产物形貌的影响 | 第57-60页 |
| ·升温速率对产物形貌的影响分析 | 第60-62页 |
| ·其它形貌结构氮化镓的合成 | 第62-67页 |
| ·氮化镓纳米片的合成 | 第62-65页 |
| ·氮化镓纳米棒的发现 | 第65-66页 |
| ·氮化镓纳米棒生长机理的讨论 | 第66-67页 |
| 第四章 氮化镓薄膜的合成 | 第67-72页 |
| ·氮化镓薄膜的合成 | 第67-72页 |
| ·氮化镓薄膜的扫描电镜分析 | 第67-68页 |
| ·氮化镓薄膜的原子力显微镜分析 | 第68-69页 |
| ·氮化镓薄膜的XRD分析 | 第69-70页 |
| ·氮化镓薄膜的X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第70-72页 |
| 第五章 结论和展望 | 第72-74页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| ·对今后工作的展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第82页 |
