| 中文摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第12-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-18页 |
| ·研究激光与物质相互作用的意义 | 第14-15页 |
| ·强激光与砷化镓相互作用研究的意义及研究状况 | 第15-17页 |
| ·本文的主要内容及安排 | 第17-18页 |
| 第二章 砷化镓的基本性质及光与半导体相互作用的一些概念 | 第18-28页 |
| ·GaAs的基本性质 | 第18-22页 |
| ·光与半导体材料相互作用的一些概念 | 第22-28页 |
| 第三章 532nm连续激光对砷化镓损伤机理的实验和理论研究 | 第28-43页 |
| ·实验装置 | 第28-29页 |
| ·实验现象及理论处理 | 第29-42页 |
| ·激光损伤阈值的确定 | 第29-33页 |
| ·GaAs表面的损伤形貌及组分变化 | 第33-38页 |
| ·实验的理论处理 | 第38-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 第四章 ns脉冲激光对砷化镓材料损伤机理的实验和理论研究 | 第43-54页 |
| ·实验装置 | 第43-44页 |
| ·实验结果以及讨论 | 第44-53页 |
| ·激光损伤阈值的确定 | 第44-45页 |
| ·GaAs材料表面损伤形貌 | 第45-50页 |
| ·实验的理论处理 | 第50-53页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| 第五章 飞秒脉冲激光对砷化镓材料损伤机理研究的状况 | 第54-61页 |
| ·飞秒激光与砷化镓材料相互作用的实验 | 第54-55页 |
| ·飞秒激光与砷化镓材料相互作用的结果及相应的讨论 | 第55-60页 |
| ·实验现象 | 第56-58页 |
| ·实验现象的解释 | 第58-60页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| 第六章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第70-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
