碳化硅外延材料生长温度场模拟和表征技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究的目的与意义 | 第8-9页 |
| ·碳化硅材料的国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·论文主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 碳化硅晶体材料外延生长机理研究 | 第12-26页 |
| ·SiC晶体材料外延生长技术综述 | 第12-16页 |
| ·高温升华法 | 第12-13页 |
| ·液相外延法 | 第13-14页 |
| ·化学气相淀积 | 第14-16页 |
| ·外延生长工艺机理研究 | 第16-21页 |
| ·外延生长参数与生长率的关系 | 第16-19页 |
| ·外延工艺改进的措施 | 第19-21页 |
| ·VP508 GFR双腔热墙碳化硅CVD | 第21-25页 |
| ·外延设备系统组成介绍 | 第21-22页 |
| ·反应室的流体力学特征 | 第22-24页 |
| ·反应动力学机制 | 第24-25页 |
| ·本章小节 | 第25-26页 |
| 第三章 加热腔温度场与流场的模拟研究 | 第26-44页 |
| ·FEMLAB软件的介绍 | 第26-28页 |
| ·FEMLAB软件的应用 | 第26-27页 |
| ·典型的建模过程 | 第27-28页 |
| ·温度场模拟 | 第28-35页 |
| ·改变基座尺寸的温度场模拟 | 第28-32页 |
| ·反应腔的建模 | 第28-29页 |
| ·物理参数的设定 | 第29-30页 |
| ·模拟结果与分析 | 第30-32页 |
| ·改变石墨层厚度温度场模拟 | 第32-35页 |
| ·建模和物理参数设定 | 第32-33页 |
| ·模拟结果与分析 | 第33-35页 |
| ·流场模拟 | 第35-40页 |
| ·建模和物理参数设定 | 第35-36页 |
| ·基座几何形状改变模拟结果与分析 | 第36-38页 |
| ·改变气流流速模拟 | 第38-40页 |
| ·多场耦合模拟 | 第40-42页 |
| ·模拟结果与分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 碳化硅材料表征技术 | 第44-48页 |
| ·晶型的判断－拉曼分析 | 第44-45页 |
| ·拉曼光谱分析实验 | 第45-46页 |
| ·本章小节 | 第46-48页 |
| 第五章 结束语 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 作者在读期间研究成果 | 第56页 |
