| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·稀磁半导体的概念和分类 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第11页 |
| ·稀磁半导体的分类 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体的发展和自旋电子学 | 第12-14页 |
| ·稀磁半导体的发展 | 第12-13页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第13-14页 |
| ·稀磁半导体的制备方法与表征技术 | 第14-16页 |
| ·稀磁半导体的制备方法 | 第14-16页 |
| ·稀磁半导体的表征技术 | 第16页 |
| ·稀磁半导体中磁性的起源 | 第16-22页 |
| ·双交换作用 | 第17-18页 |
| ·RKKY相互作用 | 第18-19页 |
| ·超交换作用 | 第19-21页 |
| ·Griffiths理论 | 第21-22页 |
| ·稀磁半导体的特性及应用 | 第22-24页 |
| ·稀磁半导体的光吸收特性 | 第22页 |
| ·稀磁半导体磁光特性 | 第22-23页 |
| ·稀磁半导体磁输运特性 | 第23页 |
| ·稀磁半导体的应用 | 第23-24页 |
| ·III-V族半导体基稀磁半导体的研究 | 第24-25页 |
| ·课题的提出及其意义 | 第25-26页 |
| 第二章 计算方法和软件介绍 | 第26-39页 |
| ·绝热近似 | 第26-27页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第27-29页 |
| ·密度泛函理论 | 第29-32页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第29-30页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第30-32页 |
| ·Kohn-Sham方法 | 第32页 |
| ·交换相关能泛函 | 第32-35页 |
| ·LDA泛函 | 第33页 |
| ·GGA泛函 | 第33-34页 |
| ·meta-GGA泛函 | 第34页 |
| ·hybrid泛函 | 第34-35页 |
| ·CASTEP介绍 | 第35-39页 |
| ·赝势 | 第35-36页 |
| ·超晶胞方法 | 第36页 |
| ·平面波 | 第36-37页 |
| ·自洽电子驰豫方法 | 第37-38页 |
| ·快速傅立叶变换 | 第38页 |
| ·磁性计算 | 第38-39页 |
| 第三章 AlN及其空位的电子结构与磁性研究 | 第39-54页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·AlN半导体的结构及基本性质 | 第39-41页 |
| ·AlN的晶体结构 | 第39页 |
| ·AlN的基本性质 | 第39-41页 |
| ·AlN模型优化与性能计算 | 第41-47页 |
| ·AlN模型搭建 | 第41页 |
| ·计算参数的设置 | 第41-45页 |
| ·性能计算 | 第45页 |
| ·计算结果与讨论 | 第45-47页 |
| ·AlN空位模型优化与性能计算 | 第47-54页 |
| ·计算模型 | 第47页 |
| ·计算方法 | 第47-49页 |
| ·计算结果与讨论 | 第49-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 M(Mg、Cu、Zn、Pd)掺杂AlN的电子结构与磁性 | 第54-64页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·计算模型和方法 | 第54-55页 |
| ·计算模型 | 第54-55页 |
| ·计算方法 | 第55页 |
| ·计算结果与讨论 | 第55-63页 |
| ·稳定性比较 | 第55-56页 |
| ·电子结构分析 | 第56-60页 |
| ·光学性能 | 第60-61页 |
| ·形成能计算 | 第61页 |
| ·铁磁与反铁磁的稳定性比较 | 第61-62页 |
| ·居里温度 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论和展望 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·有待进一步研究的问题 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第74页 |