| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 第一节 GaN 材料的基本性质和研究进展 | 第12-18页 |
| 第二节 ZnO 材料的基本性质和研究进展 | 第18-21页 |
| 第三节 GaN 纳米结构的生长方法 | 第21-24页 |
| 第四节 本论文的选题依据 | 第24-26页 |
| 第二章 实验设备和测试表征方法 | 第26-33页 |
| 第一节 实验设备介绍 | 第26-29页 |
| 第二节 样品的测试和表征技术 | 第29-33页 |
| 第三章 ZnO 的制备及特性研究 | 第33-49页 |
| 第一节 氧气氛围下退火温度对氧化锌薄膜特性的影响 | 第33-39页 |
| 第二节 氨气氛围中退火温度对ZnO 薄膜的结构和形态特性影响 | 第39-44页 |
| 第三节 空气气氛下退火温度对ZnO 薄膜的结构和形态特性影响 | 第44-49页 |
| 第四章 脉冲激光沉积法生长ZnO 缓冲层制备GaN 纳米线 | 第49-61页 |
| 第一节 一维GaN 纳米结构的制备 | 第49-50页 |
| 第二节 氨化温度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第50-54页 |
| 第三节 GaN 纳米线的表征及其特性分析 | 第54-61页 |
| 第五章 磁控溅射Ga_2O_3/ZnO 膜反应自组装一维GaN 纳米结构的研究 | 第61-77页 |
| 第一节 ZnO 缓冲层的退火温度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第61-67页 |
| 第二节 氨化温度对合成一维GaN 纳米结构的影响 | 第67-74页 |
| 第三节 一维GaN 纳米结构的生长机制的探索 | 第74-77页 |
| 第六章 磁控溅射法制备GaN 薄膜的研究 | 第77-84页 |
| 第一节 GaN/ZnO 薄膜的制备 | 第77-78页 |
| 第二节 ZnO 缓冲层的厚度对生长GaN 薄膜的影响 | 第78-84页 |
| 第七章 结论 | 第84-87页 |
| ·本文的主要结果 | 第84-86页 |
| ·对今后工作的建议 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-96页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
