| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·GaN 纳米材料的研究意义 | 第11-12页 |
| ·GaN 的性质 | 第12-19页 |
| ·纳米半导体材料 | 第19-22页 |
| ·一维 GaN 纳米材料研究进展 | 第22-24页 |
| ·本论文的选题依据 | 第24-25页 |
| 第二章 实验设备和测试 | 第25-31页 |
| ·实验中所需要的主要材料和试剂 | 第25-26页 |
| ·实验设备 | 第26-28页 |
| ·测试表征手段 | 第28-31页 |
| 第三章 磁控溅射氨化GA_2O_3/AL 膜制备GAN 纳米结构的研究 | 第31-44页 |
| ·实验样品的制备 | 第31-32页 |
| ·样品的结构和成分分析 | 第32-36页 |
| ·不同实验条件对 GaN 纳米结构表面的影响 | 第36-40页 |
| ·HRTEM 分析 | 第40-41页 |
| ·发光特性研究 | 第41-42页 |
| ·GaN 纳米线的生长机制 | 第42-44页 |
| 第四章 在氧化的AL 膜上氨化磁控溅射GA_2O_3膜制备GAN 低维纳米结构材料 | 第44-51页 |
| ·实验样品的制备 | 第44页 |
| ·氨化温度对 GaN 纳米结构形貌的影响 | 第44-47页 |
| ·氨化反应时间对 GaN 纳米结构形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·不同厚度缓冲层上生长的纳米结构 | 第48-49页 |
| ·纳米结构的形成机制研究 | 第49-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第五章 SI 基磁控溅射AL 薄膜氨化法制备ALN 研究 | 第51-57页 |
| ·AlN 薄膜的性质 | 第51页 |
| ·AlN 薄膜的制备工艺 | 第51-52页 |
| ·实验样品的制备 | 第52页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第52-55页 |
| ·XPS 分析 | 第55-56页 |
| ·SEM 分析 | 第56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| ·本论文的主要研究内容及成果 | 第57-58页 |
| ·对今后工作的建议 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
