当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
IGCT器件的应用研究
掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料性质的研究
半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究
Φ200mm低氧碳CZSi单晶的制备及计算机数值模拟
大直径CZ硅单晶中流动图形缺陷（FPDs）的研究
砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究
硅中的碳、氮、氧及其相互作用
晶体硅中过渡族金属的沉淀规律
直拉硅单晶中氧沉淀及其诱生缺陷的透射电镜研究
半导体发光器件的负电容与高速调制
新颖液晶光阀及紫外光电二极管阵列的研究
有机电致发光器件量子效率的测量系统建立及其提高的研究
肖特基二极管相关材料生长及器件研究
直拉重掺硼硅单晶中氧沉淀的研究
多孔硅与有机材料复合光电特性研究
硅片氮气直接氮化的动力学和机理研究
直拉硅单晶的快速热处理（RTP）研究
GaN基材料的欧姆接触及相关器件研究
基于二维位置敏感探测器PSD的研究及应用
GaN欧姆接触及器件的研究
新型（艹北）聚酰亚胺发光二极管的研究
短沟道MOST温度特性的建模
TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO2和P-SiON薄膜的研究
新型有机电荷传输材料的合成及在OPC中的应用
涡轮LP-MOCVD研制GaInP/GaA1InP应变多量子阱高亮度发光二极管
有机发光二极管功能层和互掺过渡层研究
用于高亮度发光二极管的布拉格反射器研究
新型稀磁半导体MnxCd1-xIn2Te4晶体生长及组织结构与性能研究
自组装GaN/AlN量子点结构生长的初步研究
适用于大电流的SiGe HBT频率特性的解析模型
多孔硅光致发光特性研究
磁控溅射法制备碳化硅薄膜的特性研究
P型杂质Ga在SiO2-Si内界面的分凝特性研究与探讨
新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的晶体生长与性能表征
导电玻璃和硅上热壁外延生长砷化镓薄膜的研究
热释电凝视阵列MTF测试技术研究
用CVD法制备红外块材料ZnS
LED分谱检测与分选设备研究
高亮度LED在绿色照明工程中的应用研究与开发
III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究
有机无机复合电致发光和固态类阴极射线发光的研究
激光直写光刻技术研究
聚合物电致发光的性质及机理研究
有机微腔电致发光的物理与器件研究
热处理方法对有机薄膜电致发光器件性能影响的研究
硫镓银（AgGaS2）多晶合成与单晶生长研究
ALICE/PHOS读出单元PIN的研制与在束性能检验
SiO2/SiC界面质量对n沟SiC MOSFET器件性能影响的研究
碳化硅场效应晶体管技术与特性研究
等离子体刻蚀轮廓的数值研究
上一页
[164]
[165]
[166]
[167]
[168]
下一页
