| 第一章 引言 | 第1-12页 |
| §1．1 SiGe合金材料 | 第6-9页 |
| §1．2 SiGe基区异质结双极晶体管（HBT） | 第9-12页 |
| 第二章 SiGe HBT在大电流下的异质结势垒效应基本特性 | 第12-24页 |
| §2．1 同质结基区扩展效应（Kirk Effect） | 第12-15页 |
| §2．2 异质结势垒效应（HBE） | 第15-22页 |
| §2．3 减小HBE效应对器件频率特性影响几种的方法 | 第22-24页 |
| 第三章 Ge引入到集电区后异质结势垒效应的一维解析模型 | 第24-35页 |
| §3．1 模型的建立 | 第24-26页 |
| §3．2 Ge引入到集电区后异质结势垒φ_B的计算 | 第26-28页 |
| §3．3 Ge引入到集电区后频率特性的计算 | 第28-32页 |
| §3．4 Ge引入到集电区后发射极偏压B_（be）和集电极电流密度J_c的关系 | 第32-35页 |
| 第四章 结论 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 致谢 | 第38页 |