| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 GaN 基半导体材料及器件进展 | 第9-39页 |
| ·III 族氮化物材料及其器件的进展与应用 | 第9-12页 |
| ·III 族氮化物的基本结构和性质 | 第12-20页 |
| ·掺杂和杂质特性 | 第20-21页 |
| ·氮化物材料的制备 | 第21-27页 |
| ·氮化物器件 | 第27-30页 |
| ·GaN 基材料与其它材料的比较 | 第30-32页 |
| ·本论文工作的内容与安排 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 氮化物MOCVD 生长系统和生长工艺 | 第39-50页 |
| ·MOCVD 材料生长机理 | 第39-40页 |
| ·本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 | 第40-45页 |
| ·本论文氮化物生长所用的源 | 第45-46页 |
| ·衬底的选择 | 第46-47页 |
| ·氮化物外延生长工艺 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第三章未掺杂GaN 的 MOCVD 外延生长及性质研究 | 第50-82页 |
| ·GaN 的MOCVD 生长模式研究 | 第50-53页 |
| ·缓冲层对GaN 生长的影响 | 第53-56页 |
| ·氮化衬底对GaN 生长的影响 | 第56-61页 |
| ·气压对GaN 外延生长的影响 | 第61-63页 |
| ·化学计量比偏离的GaN 作缓冲层生长GaN 外延膜 | 第63-71页 |
| ·载气对GaN 生长的影响 | 第71-73页 |
| ·GaN 外延膜的表面缺陷 | 第73-74页 |
| ·未掺杂GaN 外延膜的蓝带发光研究 | 第74-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第四章 n 型和p 型 GaN 薄膜的生长及性质研究 | 第82-101页 |
| ·n 型GaN 外延膜的生长及性质研究 | 第82-91页 |
| ·p 型GaN 外延膜的生长及性质研究 | 第91-97页 |
| ·小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-101页 |
| 第五章 氮化物三元合金的 MOCVD 生长及性质研究 | 第101-124页 |
| ·引言 | 第101页 |
| ·MOCVD 制备InGaN 的热力学分析 | 第101-103页 |
| ·InGaN 合金的生长研究进展 | 第103-105页 |
| ·In/Ga 比对InGaN 薄膜生长的影响 | 第105-109页 |
| ·载气对InGaN 薄膜生长的影响 | 第109-111页 |
| ·温度对InGaN 薄膜生长的影响 | 第111-113页 |
| ·InGaN 薄膜的光致发光光谱 | 第113-116页 |
| ·InGaN 薄膜的光透射谱 | 第116-120页 |
| ·AlGaN 生长 | 第120-121页 |
| ·小结 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-124页 |
| 第六章 GaN 基LED 外延片生长及性质研究 | 第124-144页 |
| ·GaN 基LED 外延片的结构及其发展 | 第124-125页 |
| ·GaN 基LED 外延片生长 | 第125-128页 |
| ·GaN 基LED 芯片制备工艺 | 第128-130页 |
| ·GaN 基LED 外延片性质测试 | 第130-135页 |
| ·LED 芯片的性能 | 第135-139页 |
| ·化学计量比偏离的GaN 作缓冲层生长高亮度蓝光LED 外延片 | 第139-142页 |
| ·小结 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-144页 |
| 第七章 总结 | 第144-146页 |
| 今后工作的建议 | 第146-147页 |
| 博士生期间发表的论文目录 | 第147-149页 |
| 致谢 | 第149页 |
