| 第一章 序言 | 第1-20页 |
| 1．1 发光二极管发展的历史回顾 | 第8-10页 |
| 1．2 HB-LED的现状 | 第10-12页 |
| 1．3 HB-LED的发展前景 | 第12-13页 |
| 1．4 半导体外延生长设备的选择 | 第13-17页 |
| 1．5 研制应变多量子阱高亮度发光二极管的关键问题 | 第17-18页 |
| 1．6 本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 GaInp／GaAlInP的能带理论分析 | 第20-53页 |
| 2．1 k·p法对GaInP体材料的能带近似理论计算 | 第20-26页 |
| 2．2 GaInP／GaAlInP量子阱的子能级结构 | 第26-34页 |
| 2．3 GaInP／GaAlInP多量子阱和超晶格的能带分析 | 第34-38页 |
| 2．4 应变的GaInP／GaAlInP的能带结构分析 | 第38-50页 |
| 2．5 量子阱结构中直接能带转变为间接能带张应变量 | 第50-51页 |
| 2．6 小结 | 第51-53页 |
| 第三章 多量子阱的载流子输运及跃迁 | 第53-73页 |
| 3．1 量子阱中的载流子输运行为 | 第53-61页 |
| 3．2 量子阱的跃迁矩阵元 | 第61-67页 |
| 3．3 载流子复合 | 第67-71页 |
| 3．4 小结 | 第71-73页 |
| 第四章 高亮度发光二极管的结构设计 | 第73-86页 |
| 4．1 引言 | 第73页 |
| 4．2 HB-LED应变多量子阱有源区设计 | 第73-74页 |
| 4．3 器件的电注入过程分析 | 第74-79页 |
| 4．4 LED的光耦合输出 | 第79-82页 |
| 4．5 GaAs衬底的LED器件的外量子效率 | 第82-83页 |
| 4．6 器件结构的设计 | 第83-84页 |
| 4．7 小结 | 第84-86页 |
| 第五章 应变多量子阱发光二极管的材料生长 | 第86-115页 |
| 5．1 涡轮LP-MOCVD设备 | 第86-90页 |
| 5．2 MOCVD技术生长GaAlInP材料中用到的源的性质 | 第90-94页 |
| 5．3 MOCVD生长机理 | 第94-99页 |
| 5．4 材料生长的主要参数 | 第99-102页 |
| 5．5 GaInP、GaAlInP材料生长 | 第102-110页 |
| 5．6 GaP层的掺杂生长 | 第110-111页 |
| 5．7 器件的材料生长 | 第111-113页 |
| 5．8 小结 | 第113-115页 |
| 第六章 LED的制备工艺及器件测试结果和分析 | 第115-119页 |
| 6．1 LED的制备工艺 | 第115-116页 |
| 6．2 高亮度发光二极管器件测试结果和分析 | 第116-118页 |
| 6．3 小结 | 第118-119页 |
| 结束语 | 第119-122页 |
| 攻读博士学位期间完成的项目及发表的论文 | 第122-123页 |
