GaN欧姆接触及器件的研究
| 第一章 前言 | 第1-11页 |
| 第二章 GaN制备的方法和性能 | 第11-32页 |
| 2．1 Ⅲ族氮化物的基本性质 | 第11-13页 |
| 2．2 GaN材料的制备方法 | 第13-23页 |
| 2．3 GaN材料的掺杂 | 第23-24页 |
| 2．4 GaN材料的器件应用 | 第24-28页 |
| 2．5 立题思路和意义 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 金属与GaN的欧姆接触 | 第32-55页 |
| 3．1 引言 | 第32-36页 |
| 3．2 欧姆接触率测试原理和方法 | 第36-38页 |
| 3．3 标准器件工艺和LIFT-OFF工艺 | 第38-44页 |
| 3．4 定性研究实验 | 第44-49页 |
| 3．5 定量研究实验 | 第49-53页 |
| 3．6 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 GaN紫外探测器的研究 | 第55-63页 |
| 4．1 引言 | 第55-56页 |
| 4．2 实验过程 | 第56-58页 |
| 4．3 实验结果与讨论 | 第58-62页 |
| 4．4 小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 GaN肖特基二极管的初步研究 | 第63-69页 |
| 5．1 引言 | 第63-64页 |
| 5．2 实验过程 | 第64-66页 |
| 5．3 测试和结果分析 | 第66-68页 |
| 5．4 小结 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第六章 总结 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
