| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| 第二章 高效高亮度发光二极管 | 第12-30页 |
| 2．1 发光二极管的工作原理 | 第12-13页 |
| 2．2 发光二极管的特性 | 第13-15页 |
| 2．2．1 光谱特性 | 第13页 |
| 2．2．2 电学性能 | 第13-14页 |
| 2．2．3 发光强度 | 第14-15页 |
| 2．3 发光二极管的结构 | 第15-17页 |
| 2．3．1 发光二极管的封装 | 第15页 |
| 2．3．2 双异质结发光二极管芯片的设计 | 第15-17页 |
| 2．3．2．1 双异质结结层 | 第16页 |
| 2．3．2．2 顶盖层 | 第16-17页 |
| 2．3．2．3 托底层 | 第17页 |
| 2．4 发光二极管的电流扩展模型 | 第17-19页 |
| 2．5 提高发光二极管外量子效率的方法和途径 | 第19-27页 |
| 2．5．1 发光二极管外量子效率理论模型 | 第19-21页 |
| 2．5．2 提高外量子效率方法的比较 | 第21-22页 |
| 2．5．2．1 透明衬底技术 | 第22页 |
| 2．5．2．2 电流阻挡层 | 第22页 |
| 2．5．2．3 P型衬底技术 | 第22页 |
| 2．5．3 电流扩展层对外量子效率的影响 | 第22-27页 |
| 2．5．3．1 电流扩展层材料的选择 | 第22-23页 |
| 2．5．3．2 电流扩展层对外量子效率的影响 | 第23-27页 |
| 2．6 本章小结 | 第27-30页 |
| 第三章 布拉格反射器在发光二极管中的应用 | 第30-41页 |
| 3．1 布拉格反射器（DBR）的反射率 | 第30-32页 |
| 3．2 布拉格反射器的要求及材料选择 | 第32-34页 |
| 3．3 布拉格反射器的光学性质 | 第34-36页 |
| 3．3．1 高折射率材料的选择 | 第34-35页 |
| 3．3．2 生长过程中组分漂移和厚度偏差对反射光谱的影响 | 第35-36页 |
| 3．4 布拉格反射器耦合出光模型 | 第36-37页 |
| 3．5 布拉格反射器对外量子效率的影响 | 第37-40页 |
| 3．6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 布拉格反射器的生长 | 第41-55页 |
| 4．1 MOCVD技术的基本原理 | 第41-43页 |
| 4．2 MOCVD生长设备 | 第43-45页 |
| 4．2．1 气体处理系统 | 第43-44页 |
| 4．2．2 MOCVD反应室 | 第44-45页 |
| 4．2．3 尾气处理 | 第45页 |
| 4．2．4 控制系统 | 第45页 |
| 4．3 材料生长过程中的均匀性和重复性 | 第45-48页 |
| 4．4 GaAlAs材料的生长 | 第48-51页 |
| 4．4．1 GaAlAs材料的组分控制 | 第48-49页 |
| 4．4．2 GaAlAs材料的生长 | 第49-50页 |
| 4．4．3 GaAlAs材料的掺杂 | 第50-51页 |
| 4．5 实验结果 | 第51-55页 |
| 第五章 X射线双晶衍射技术在布拉格反射器测试中的应用 | 第55-60页 |
| 5．1 双晶衍射技术测试薄膜的原理 | 第55-57页 |
| 5．2 双晶衍射技术在布拉格反射器测试中的应用 | 第57-60页 |
| 5．2．1 布拉格反射器的组分和厚度 | 第57-58页 |
| 5．2．2 薄膜界面粗糙度对摇摆曲线的影响 | 第58-59页 |
| 5．2．3 薄膜应变对摇摆曲线的影响 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附 硕士期间完成的论文、科研项目 | 第62页 |