| 中文摘要 | 第1页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 背景介绍 | 第6-12页 |
| 1． 1 ALICE简介 | 第6-9页 |
| 1． 2 PHOS光子谱仪 | 第9-10页 |
| 1． 3 PIN及其基本性能指标 | 第10-11页 |
| 1． 4 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 第二章 PIN芯片的研制及后工艺 | 第12-23页 |
| 2． 1 PIN基本性能的影响因素分析 | 第12-15页 |
| 2． 1． 1 全耗尽电压和工作偏压 | 第12-13页 |
| 2． 1． 2 结电容 | 第13页 |
| 2． 1． 3 反向漏电流 | 第13-14页 |
| 2． 1． 4 量子效率 | 第14-15页 |
| 2． 1． 5 PIN+PreAmp读出系统的噪声 | 第15页 |
| 2． 2 PIN的设计、制作与工艺改进 | 第15-22页 |
| 2． 2． 1 PIN的整体设计 | 第15-21页 |
| 2． 2． 1． 1 硅材料的选择 | 第16页 |
| 2． 2． 1． 2 光刻版设计 | 第16-19页 |
| 2． 2． 1． 3 工艺流程设计 | 第19-21页 |
| 2． 2． 2 初步尝试结果及其分析 | 第21页 |
| 2． 2． 3 工艺改进与性能的提高 | 第21-22页 |
| 2． 3 后工艺处理 | 第22-23页 |
| 第三章 PIN基本性能测试 | 第23-30页 |
| 3． 1 全耗尽电压和结电容 | 第23页 |
| 3． 2 反向漏电流 | 第23-25页 |
| 3． 3 量子效率 | 第25-27页 |
| 3． 4 基本性能指标的比较 | 第27页 |
| 3． 5 PIN+PREAMP系统噪声测试 | 第27-30页 |
| 3． 5． 1 影响因素 | 第27-28页 |
| 3． 5． 2 测试方法 | 第28页 |
| 3． 5． 3 测试结果 | 第28-30页 |
| 第四章 束流测试与离线分析 | 第30-45页 |
| 4． 1 实验部分 | 第30-33页 |
| 4． 1． 1 实验目的 | 第30页 |
| 4． 1． 2 实验原理 | 第30-31页 |
| 4． 1． 3 实验装置 | 第31-33页 |
| 4． 1． 4 实验内容 | 第33页 |
| 4． 2 数据分析 | 第33-39页 |
| 4． 2． 1 数据处理平台和数据文件格式 | 第33-34页 |
| 4． 2． 2 数据处理和分析 | 第34-39页 |
| 4． 2． 2． 1 相对能量刻度与求和因子 | 第34-37页 |
| 4． 2． 2． 2 能量分辨率 | 第37-38页 |
| 4． 2． 2． 3 Det／Puls比 | 第38-39页 |
| 4． 3 穿透效应的研究 | 第39-45页 |
| 4． 3． 1 使用高能μ子研究穿透效应 | 第39-40页 |
| 4． 3． 1． 1 μ子在Det5中的穿透效应 | 第39-40页 |
| 4． 3． 1． 2 μ子在Det17中的穿透效应 | 第40页 |
| 4． 3． 2 电子束实验中穿透效应的影响 | 第40-45页 |
| 4． 3． 2． 1 电子束在Det5中的穿透效应 | 第41-42页 |
| 4． 3． 2． 2 电子束在Det7中的穿透效应 | 第42-45页 |
| 小结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
