| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-22页 |
| 2．1 肖特基势垒的起源 | 第11-15页 |
| 2．2 肖特基势垒的电流输运理论 | 第15-16页 |
| 2．3 肖特基二极管的伏安特性 | 第16-17页 |
| 2．4 实际二极管的Ⅰ—Ⅴ特性 | 第17-18页 |
| 2．5 肖特基势垒电容 | 第18-19页 |
| 2．6 欧姆接触 | 第19-22页 |
| 第三章 薄膜制备工艺及肖特基二极管工艺 | 第22-28页 |
| 3．1 硅外延技术 | 第22-25页 |
| 3．1．1 常温常压CVD | 第22页 |
| 3．1．2 极低压CVD | 第22-23页 |
| 3．1．3 超高真空化学气相沉积（UHV-CVD）生长技术 | 第23-25页 |
| 3．2 二极管结构和工艺 | 第25-28页 |
| 3．2．1 制备工艺与势垒控制 | 第25-26页 |
| 3．2．2 SBD的终端技术 | 第26-28页 |
| 第四章 薄硅外延层制作SBD的研究 | 第28-47页 |
| 4．1 薄Si外延片SBD的设计考虑 | 第28-30页 |
| 4．1．1 半导体材料的选择 | 第28页 |
| 4．1．2 外延层参数的确定 | 第28-29页 |
| 4．1．3 势垒直径Φ_1 | 第29-30页 |
| 4．2 Si超薄外延及外延片测试 | 第30-37页 |
| 4．2．1 实验设备 | 第30-32页 |
| 4．2．2 外延生长工艺 | 第32-34页 |
| 4．2．3 外延片测试结果 | 第34-37页 |
| 4．3 Si SBD的制作及测试 | 第37-47页 |
| 4．3．1 工艺流程 | 第37-42页 |
| 4．3．2 Si SBD的伏安特性 | 第42-43页 |
| 4．3．3 相关参数的计算 | 第43-47页 |
| 第五章 ZnO肖特基二极管的制备 | 第47-66页 |
| 5．1 设计考虑 | 第47-48页 |
| 5．2 溅射设备 | 第48-49页 |
| 5．3 实验步骤 | 第49-50页 |
| 5．4 ZnO SBD制作工艺 | 第50-55页 |
| 5．5 ZnO薄膜及其SBD的相关测试结果 | 第55-66页 |
| 5．5．1 ZnO薄膜XRD测试 | 第55-58页 |
| 5．5．2 ZnO薄膜的扫描电镜测试 | 第58-59页 |
| 5．5．3 扩展电阻测试 | 第59-60页 |
| 5．5．4 ZnO／Al／Si的二次离子质谱测试 | 第60-61页 |
| 5．5．5 ZnO的肖特基二极管伏安特性测试 | 第61-63页 |
| 5．5．6 相关参数的计算 | 第63-66页 |
| 第六章 总结和建议 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间发表的文章 | 第73页 |