| 绪论 | 第1-7页 |
| §0．1 高温CMOS集成电路的研究意义与发展状况 | 第4-6页 |
| §0．2 本论文的主要工作 | 第6-7页 |
| 第一章 短沟道MOST阈值电压的温度特性 | 第7-16页 |
| §1．1 短沟道MOST的阈值电压表达式 | 第7-9页 |
| §1．2 短沟道MOST的阈值电压温度系数 | 第9-12页 |
| §1．3 短沟道MOST阈值电压温度系数的分析 | 第12-15页 |
| §1．4 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 短沟道MOST漏源电流的温度特性 | 第16-34页 |
| §2．1 短沟道MOST表面载流子迁移率与温度的关系 | 第16-21页 |
| §2．1．1 短沟道MOST表面载流子的迁移率模型 | 第16-18页 |
| §2．1．2 短沟道MOST表面载流子的迁移率与温度的关系 | 第18-21页 |
| §2．2 短沟道MOST的漏源电流公式 | 第21-24页 |
| §2．3 短沟道MOST的漏源电流温度特性 | 第24-33页 |
| §2．3．1 沟道长度调制效应和漏致势垒降低效应对漏源电流温度特性的影响 | 第24-26页 |
| §2．3．2 短沟道MOST的漏源电流温度系数 | 第26-27页 |
| §2．3．3 漏源电流的ZTC点 | 第27-33页 |
| §2．4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 漏源串联电阻对漏源电流温度特性的影响 | 第34-45页 |
| §3．1 漏源串联电阻对漏源电流的影响与沟长的关系 | 第36-37页 |
| §3．2 漏源串联电阻的讨论 | 第37-42页 |
| §3．2．1 积累层电阻 | 第38-39页 |
| §3．2．2 扩展电阻 | 第39-41页 |
| §3．2．3 薄层电阻 | 第41页 |
| §3．2．4 接触电阻 | 第41-42页 |
| §3．3 漏源串联电阻的温度特性 | 第42-44页 |
| §3．4 本章小结 | 第44-45页 |
| 结束语 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
