| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| 1．1 研究的意义 | 第8-9页 |
| 1．2 国内外发展动态 | 第9-10页 |
| 1．3 本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 4H-SiC MOSFET特性研究 | 第12-32页 |
| 2．1 SiC MOSFET研究现状 | 第12-13页 |
| 2．2 4H-SiC MOSFET的模型 | 第13-20页 |
| 2．2．1 MEDICI介绍 | 第13页 |
| 2．2．2 模型的建立 | 第13-20页 |
| 2．3 4H-SiC MOSFET的温度特性 | 第20-26页 |
| 2．3．1 输出特性 | 第21-23页 |
| 2．3．2 阈值电压的温度特性 | 第23-24页 |
| 2．3．3 跨导的温度特性 | 第24-25页 |
| 2．3．4 导通电阻的温度特性 | 第25-26页 |
| 2．3．5 4H-SiC MOSFET温度特性小结 | 第26页 |
| 2．4 结构参数对特性的影响 | 第26-28页 |
| 2．4．1 掺杂浓度的影响 | 第26-27页 |
| 2．4．2 沟道长度的影响 | 第27-28页 |
| 2．4．3 氧化层厚度的影响 | 第28页 |
| 2．5 击穿电压 | 第28-30页 |
| 2．6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 4H-SiC MESFET特性研究 | 第32-43页 |
| 3．1 SiC MESFET研究现状 | 第32-36页 |
| 3．1．1 SiC材料的优势 | 第32-33页 |
| 3．1．2 SiC SBD器件 | 第33-34页 |
| 3．1．3 SiC MESFET | 第34-36页 |
| 3．2 4H-SiC MESFET模型 | 第36-38页 |
| 3．2．1 结构模型 | 第36-37页 |
| 3．2．2 边界模型的确定 | 第37-38页 |
| 3．3 4H-SiC MESFET特性 | 第38-42页 |
| 3．3．1 输出特性的模拟 | 第38-39页 |
| 3．3．2 跨导的温度特性 | 第39页 |
| 3．3．3 饱和漏电流和结构参数的关系 | 第39-40页 |
| 3．3．4 击穿电压和最大功率密度 | 第40-42页 |
| 3．4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 4H-SiC MOSFET的研制 | 第43-53页 |
| 4．1 材料和器件版图设计 | 第43-45页 |
| 4．1．1 材料的准备 | 第43页 |
| 4．1．2 器件版图设计 | 第43-45页 |
| 4．2 4H-SiC MOSFET制作工艺 | 第45-47页 |
| 4．3 4H-SiC MOSFET结果分析 | 第47-48页 |
| 4．4 改进的4H-SiC MOSFET工艺设计 | 第48-52页 |
| 4．5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 研究成果 | 第60页 |