| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-30页 |
| 2．1 液晶光阀 | 第18-24页 |
| 2．1．1 液晶光阀的工作原理 | 第18-20页 |
| 2．1．2 液晶光阀的进展 | 第20-22页 |
| 2．1．3 液晶光阀的应用 | 第22-24页 |
| 2．1．3．1 在光子学（光电子学）中的应用 | 第22页 |
| 2．1．3．2 作为光学相关器的应用 | 第22页 |
| 2．1．3．3 在军事上的应用 | 第22-24页 |
| 2．1．3．4 其它应用 | 第24页 |
| 2．2 光电二极管 | 第24-26页 |
| 2．2．1 光电二极管的分类 | 第24-26页 |
| 2．3 肖特基紫外光电二极管 | 第26-30页 |
| 2．3．1 紫外光电二极管的进展 | 第26-27页 |
| 2．3．2 紫外光电二极管的应用 | 第27-30页 |
| 2．3．2．1 作为短波长或紫外波长激光探测器的应用 | 第27-28页 |
| 2．3．2．2 在工业上的应用 | 第28页 |
| 2．3．2．3 在科学研究上的应用 | 第28页 |
| 2．3．2．4 在军事上的应用 | 第28-30页 |
| 第三章 实验方法与设备 | 第30-39页 |
| 3．1 分子束外延技术 | 第30-33页 |
| 3．1．1 分子束外延设备 | 第30-33页 |
| 3．2 等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD） | 第33-35页 |
| 3．3 材料分析测试技术 | 第35-37页 |
| 3．3．1 X射线衍射（XRD） | 第35页 |
| 3．3．2 原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| 3．3．3 透射电镜（TEM） | 第36页 |
| 3．3．4 X射线光电子能谱（XPS） | 第36-37页 |
| 3．3．5 二次离子质谱仪（SIMS） | 第37页 |
| 3．3．6 紫外可见光吸收光谱 | 第37页 |
| 3．3．7 膜厚测试 | 第37页 |
| 3．3．8 霍尔效应测试 | 第37页 |
| 3．4 器件制备技术 | 第37-39页 |
| 3．4．1 物理气相沉积技术（PVD） | 第38页 |
| 3．4．2 薄膜溅射沉积技术（TFSS） | 第38-39页 |
| 第四章 ZnS基单晶薄膜的外延生长 | 第39-51页 |
| 4．1 衬底制备 | 第39-41页 |
| 4．2 肖特基结金属 | 第41-42页 |
| 4．3 光刻技术 | 第42页 |
| 4．4 欧姆接触 | 第42页 |
| 4．5 ZnS基单晶薄膜的制备 | 第42页 |
| 4．6 ZnS基单晶薄膜的结构特性 | 第42-43页 |
| 4．7 ZnS基单晶薄膜的n型掺杂 | 第43-50页 |
| 4．8 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 ZnS基紫外光电二极管阵列的研究 | 第51-61页 |
| 5．1 肖特基光电二极管的工作模式 | 第51页 |
| 5．2 肖特基光电二极管的制备及性能测试 | 第51-55页 |
| 5．3 肖特基光电二极管阵列的制备及性能测试 | 第55-60页 |
| 5．3．1 肖特基光电二极管阵列的制备 | 第55-59页 |
| 5．3．2 肖特基光电二极管阵列的性能测试 | 第59-60页 |
| 5．4 小结 | 第60-61页 |
| 第六章 ZnS基多晶薄膜的MBE生长 | 第61-100页 |
| 6．1 紫外液晶光阀器件的模型分析 | 第61-66页 |
| 6．2 ITO衬底上ZnS_xSe_（1-x）多晶薄膜的MBE制备 | 第66-69页 |
| 6．3 ZnS_xSe_（1-x）多晶薄膜的微观结构及生长机理 | 第69-79页 |
| 6．3．1 ZnS_xSe_（1-x）多晶薄膜的微观结构 | 第69-72页 |
| 6．3．2 ZnS_xSe_（1-x）多晶薄膜的生长机理 | 第72-79页 |
| 6．4 ZnS_xSe_（1-x）多晶薄膜的光电特性 | 第79-96页 |
| 6．5 小结 | 第96-100页 |
| 第七章 高分辨紫外液晶光阀的光敏层研究 | 第100-120页 |
| 7．1 薄膜的MBE制备 | 第100-101页 |
| 7．2 薄膜的微观结构 | 第101-106页 |
| 7．3 ZnS_xSe_（1-x）薄膜的可控定向生长 | 第106-109页 |
| 7．4 柱状结构薄膜的光电特性 | 第109-117页 |
| 7．5 ZnS_xSe_（1-x）光敏层对器件分辨率影响的理论分析 | 第117-118页 |
| 7．6 小结 | 第118-120页 |
| 第八章 可见及近红外液晶光阀光敏层的研究 | 第120-129页 |
| 8．1 掺硼非晶硅薄膜的PECVD沉积 | 第120-122页 |
| 8．2 掺硼非晶硅薄膜的微结构和光电特性 | 第122-123页 |
| 8．3 实验分析和讨论 | 第123-128页 |
| 8．4 小结 | 第128-129页 |
| 第九章 液晶光阀器件的制备 | 第129-143页 |
| 9．1 阻光层及介质镜的制备 | 第130-131页 |
| 9．2 液晶层的定向及注入 | 第131-136页 |
| 9．3 液晶光阀的获得及测试结果 | 第136-142页 |
| 9．4 小结 | 第142-143页 |
| 第十章 结论 | 第143-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 参考文献 | 第147-155页 |
| 附录 博士期间的研究成果及发表的论文 | 第155-156页 |
