等离子体刻蚀轮廓的数值研究
第一章 绪论 | 第1-12页 |
1.1 研究的意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外发展动态 | 第9-10页 |
1.3 本文的主要工作 | 第10-12页 |
第二章 等离子体产生原理及其反应装置 | 第12-26页 |
2.1 平行平板射频等离子体源 | 第12-13页 |
2.2 电感耦合等离子体源 | 第13-16页 |
2.3 电子回旋共振等离子体源 | 第16-20页 |
2.4 螺旋波等离子体源 | 第20-23页 |
2.5 高密度等离子体源比较 | 第23页 |
2.6 等离子体约束 | 第23-24页 |
2.7 等离子体引起的器件损伤 | 第24-26页 |
第三章 等离子体刻蚀工艺 | 第26-33页 |
3.1 等离子体刻蚀的分类 | 第26-27页 |
3.2 等离子体刻蚀的应用 | 第27-29页 |
3.3 等离子体刻蚀的数值模拟 | 第29-33页 |
第四章 刻蚀速率模型及其离子分布函数 | 第33-42页 |
4.1 刻蚀速率模型的建立 | 第33-34页 |
4.2 离子的分布函数 | 第34-42页 |
第五章 鞘层无碰撞的刻蚀轮廓模拟 | 第42-51页 |
5.1 刻蚀表面的演化方程 | 第42-44页 |
5.2 特征曲线法 | 第44-45页 |
5.3 离子能流的计算 | 第45-48页 |
5.4 模拟结果与分析 | 第48-51页 |
第六章 不同反应器中刻蚀轮廓的模拟 | 第51-63页 |
6.1 离子能流 | 第51-53页 |
6.2 模拟结果与分析 | 第53-63页 |
结束语 | 第63-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-69页 |
附录 | 第69-72页 |
研究成果 | 第72页 |