| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| ·课题的背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究动态 | 第11-13页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 应变技术与 LDMOS 器件的工作原理 | 第14-27页 |
| ·应变硅技术 | 第14-21页 |
| ·全局应变技术 | 第14-17页 |
| ·局部应变技术 | 第17-21页 |
| ·LDMOS 器件的工作原理 | 第21-25页 |
| ·LDMOS 器件的基本结构 | 第21-22页 |
| ·LDMOS 器件的基本特性 | 第22-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 局部应变 LDMOS 器件 | 第27-34页 |
| ·LDMOS 器件的结构模型 | 第27-28页 |
| ·局部应变 LDMOS 器件的仿真结果 | 第28-32页 |
| ·LDMOS 器件的应力分布 | 第28-29页 |
| ·LDMOS 器件的电学特性 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 基于 STI 和 SOI 结构的小尺寸应变 LDMOS 器件研究 | 第34-60页 |
| ·小尺寸的应变 LDMOS 器件 | 第34-38页 |
| ·小尺寸 LDMOS 器件的结构模型 | 第34-35页 |
| ·小尺寸体 Si LDMOS 器件的仿真结果 | 第35-38页 |
| ·STI LDMOS 器件 | 第38-47页 |
| ·小尺寸 STI LDMOS 器件的结构模型 | 第39-40页 |
| ·小尺寸 STI LDMOS 器件的仿真结果 | 第40-47页 |
| ·STI 的位置对 LDMOS 器件的影响 | 第40-44页 |
| ·STI LDMOS 的 STI 尺寸的优化仿真 | 第44-47页 |
| ·SOI LDMOS 器件 | 第47-53页 |
| ·小尺寸 SOI LDMOS 器件的结构模型 | 第48-49页 |
| ·小尺寸 SOI LDMOS 器件的仿真结果 | 第49-53页 |
| ·结合 STI 与 SOI 的小尺寸 LDMOS 器件 | 第53-58页 |
| ·结合 STI 与 SOI 的小尺寸 LDMOS 器件的结构模型 | 第54页 |
| ·结合 STI 与 SOI 的小尺寸 LDMOS 器件的仿真结果 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
