| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题研究背景与意义 | 第10-12页 |
| ·研究现状概述 | 第12-17页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 结构的研究现状 | 第12-14页 |
| ·Si 基石墨烯场效应晶体管研究现状 | 第14-17页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 Si 基高频场效应晶体管工作原理及结构设计 | 第18-26页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 结构特点及其工作原理 | 第18-22页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 结构特性 | 第18-20页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 工作原理 | 第20-22页 |
| ·Si 基石墨烯场效应晶体管结构特点及其工作原理 | 第22-23页 |
| ·Si 基高频场效应晶体管结构设计 | 第23-25页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 结构设计 | 第23-25页 |
| ·Si 基石墨烯场效应晶体管结构设计 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 Si 基高频场效应晶体管性能仿真 | 第26-38页 |
| ·器件仿真物理模型 | 第26-28页 |
| ·基本方程 | 第26-28页 |
| ·物理模型 | 第28页 |
| ·不同结构参数对 GaAs-HEMT 电学性能的影响 | 第28-34页 |
| ·不同势垒层厚度对 HEMT 的影响 | 第28-29页 |
| ·不同栅极长度对 HEMT 的影响 | 第29-31页 |
| ·不同平面掺杂浓度对 HEMT 的影响 | 第31-32页 |
| ·不同势垒层掺杂浓度对 HEMT 的影响 | 第32-33页 |
| ·双平面掺杂浓对 HEMT 的影响 | 第33-34页 |
| ·温度对 GaAs-HEMT 结构电学性能的影响 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 Si 基高频场效应晶体管加工工艺研究 | 第38-57页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 工艺设计 | 第38-40页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 关键工艺 | 第40-45页 |
| ·Si 基 GaAs 材料优化与表征 | 第40-44页 |
| ·GaAs/AlGaAs 选择性湿法刻蚀工艺 | 第44-45页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 版图设计 | 第45-48页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 加工工艺 | 第48-54页 |
| ·Si 基石墨烯场效应晶体管加工工艺 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 Si 基高频场效应晶体管性能测试与分析 | 第57-66页 |
| ·Si 基 GaAs-HEMT 性能测试与分析 | 第57-61页 |
| ·Si 基石墨烯场效应晶体管性能测试与分析 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
