| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·SIC 功率 MOSFET 的研究意义 | 第10-14页 |
| ·SIC 功率 MOS 器件的发展现状 | 第14-16页 |
| ·SiC Trench MOSFET | 第14页 |
| ·SiC VDMOS | 第14-16页 |
| ·论文选题及工作内容 | 第16-17页 |
| 第二章 4H-SIC VDMOS 器件及工艺仿真 | 第17-39页 |
| ·ATLAS 仿真模型 | 第17-22页 |
| ·基本迁移率模型 | 第18-20页 |
| ·SiC VDMOS 迁移率模型调整 | 第20-21页 |
| ·碰撞电离模型 | 第21-22页 |
| ·界面态问题引入 | 第22-23页 |
| ·ATLAS 器件仿真实例 | 第23-27页 |
| ·器件转移特性仿真 | 第24-26页 |
| ·器件正向导通特性仿真 | 第26页 |
| ·器件击穿特性仿真 | 第26-27页 |
| ·SIC VDMOS 离子注入工艺 | 第27-38页 |
| ·athena 离子注入工艺仿真 | 第28-36页 |
| ·器件特性的 atlas 仿真验证 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 新型 SIC VDMOS 结构设计 | 第39-46页 |
| ·器件工作原理 | 第40-41页 |
| ·设计关键要素 | 第41-42页 |
| ·ATLAS 仿真结果分析 | 第42-45页 |
| ·正向导通特性 | 第42-44页 |
| ·阻断特性 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SIC MOSFET 界面陷阱测试及分析 | 第46-55页 |
| ·MOS 电容结构中的陷阱电荷 | 第46-48页 |
| ·界面陷阱电荷 | 第46-47页 |
| ·固定氧化物电荷 | 第47页 |
| ·氧化物陷阱电荷 | 第47-48页 |
| ·可动离子电荷 | 第48页 |
| ·基于电荷泵（CHARGE-PUMPING）测量法的陷阱分析 | 第48-54页 |
| ·C-V 测试法简介 | 第48-49页 |
| ·电荷泵（Charge-pumping）测量法原理 | 第49-51页 |
| ·测量结果与分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| ·本文的主要贡献 | 第55页 |
| ·下一步工作的展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |