隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计

摘要	第1-7页
ABSTRACT	第7-11页
第一章 绪论	第11-27页
·IGBT 的发展	第13-17页
·逆导型 IGBT	第17-19页
·结终端技术	第19-25页
·本文的主要工作与创新	第25-27页
第二章 隔离型 RC-IGBT	第27-50页
·传统 RC-IGBT 基本特性	第27-34页
·介质隔离型 RC-IGBT	第34-37页
·介质隔离与结隔离型 RC-IGBT	第37-43页
·结隔离型 RC-IGBT	第43-49页
·本章小结	第49-50页
第三章 隧道型 RC-IGBT	第50-59页
·隧道型 RC-IGBT 的工作原理	第50-55页
·集成二极管的反向恢复特性	第55-57页
·本章小结	第57-59页
第四章 IGBT 的耐压设计	第59-87页
·单晶材料设计	第60-63页
·结终端设计	第63-74页
·吸硼排磷效应	第66-68页
·氧化层电荷	第68-73页
·版图设计	第73-74页
·宽基区 p-n-p 的放大系数	第74-79页
·实验结果	第79-85页
·流片工艺	第79-81页
·版图布局与分片设计	第81-82页
·测试结果	第82-85页
·本章小结	第85-87页
第五章 结论与展望	第87-90页
·结论	第87-89页
·展望	第89-90页
致谢	第90-91页
参考文献	第91-104页
攻博期间取得的研究成果	第104-106页