| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·ESD保护的发展动态 | 第10-11页 |
| ·论文研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 ESD基本保护器件 | 第14-34页 |
| ·ESD保护的基本设计机理 | 第14-15页 |
| ·无回转特性的ESD保护器件 | 第15-20页 |
| ·P-N结二极管 | 第15-17页 |
| ·齐纳二极管 | 第17-18页 |
| ·多晶硅二极管 | 第18-19页 |
| ·串联二极管 | 第19-20页 |
| ·有回转特性的ESD保护器件 | 第20-26页 |
| ·MOSFET | 第21-24页 |
| ·SCR | 第24-26页 |
| ·ESD模型和测试方法 | 第26-32页 |
| ·ESD模型简介 | 第26页 |
| ·ESD的测试方法 | 第26-27页 |
| ·人体测试模型（HBM） | 第27-29页 |
| ·机器放电模型（MM） | 第29-30页 |
| ·组件充电模型（CDM） | 第30-31页 |
| ·传输线脉冲（TLP）测试 | 第31-32页 |
| ·ESD测试失效的判定 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 40V GG-NLDMOS的ESD特性分析 | 第34-46页 |
| ·40V GG-NLDMOS的器件结构 | 第34-35页 |
| ·原始GG-NLDMOS器件的TLP测试结果及分析 | 第35-37页 |
| ·GG-NLDMOS器件的仿真分析 | 第37-45页 |
| ·雪崩击穿点 | 第38-39页 |
| ·寄生NPN管触发点 | 第39-41页 |
| ·维持电压点 | 第41-42页 |
| ·二次snapback点 | 第42-44页 |
| ·二次击穿点 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 GG-NLDMOS器件结构优化 | 第46-66页 |
| ·金属硅化物工艺（silicide process）优化 | 第46-47页 |
| ·沟道长度优化 | 第47-50页 |
| ·漏端LOCOS长度优化 | 第50-52页 |
| ·衬底电阻优化 | 第52-54页 |
| ·有源区长板长度优化 | 第54-56页 |
| ·SCR-NLDMOS的设计 | 第56-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 GG-NLDMOS器件版图优化 | 第66-70页 |
| ·隔离优化 | 第66页 |
| ·有源区尖峰优化 | 第66-67页 |
| ·金属走线优化 | 第67-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
