75V沟槽型功率MOSFET的特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·POWER MOSFET研究意义 | 第11-12页 |
| ·POWER MOSFET的发展背景和现状 | 第12-15页 |
| ·横向双扩散MOS的发展背景和现状 | 第12-13页 |
| ·垂直结构功率MOS发展背景和现状 | 第13-15页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第15-17页 |
| 第2章 UMOS的相关原理和参数 | 第17-28页 |
| ·UMOS工作原理 | 第17-18页 |
| ·UMOS的主要参数 | 第18-27页 |
| ·阈值电压(V_(th)) | 第18页 |
| ·导通电阻(R_(on)) | 第18-21页 |
| ·击穿电压(BV) | 第21-23页 |
| ·电容特性 | 第23-25页 |
| ·栅电荷 | 第25-26页 |
| ·安全工作区(SOA) | 第26页 |
| ·UMOS的优值(FOM) | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 75V UMOS的研究与仿真 | 第28-44页 |
| ·UMOS的仿真工具及流程 | 第28-31页 |
| ·掺杂剂量、注入能量和退火时间对体区结深的影响 | 第31-34页 |
| ·Pbody掺杂剂量对结深的影响 | 第31-32页 |
| ·注入能量对结深的影响 | 第32-33页 |
| ·退火时间对结深的影响 | 第33-34页 |
| ·体区结深对器件性能的影响 | 第34-36页 |
| ·沟槽式接触孔的深度对UMOS性能的影响 | 第36-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 75V UMOS体区的优化与仿真 | 第44-52页 |
| ·UMOS导通电阻优化方式 | 第44-45页 |
| ·75VUMOS体区的优化设计与仿真 | 第45-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 浅结结构的研究与优化 | 第52-64页 |
| ·75VUMOS浅结的研究 | 第52页 |
| ·75VUMOS普通浅结优化模型 | 第52-58页 |
| ·75VUMOS源极沟槽采用接触金属的浅结模型 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论与未来的工作 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
