高压功率MOSFET终端结构击穿特性的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·功率电子器件概述 | 第11-12页 |
| ·功率MOSFET研究现状 | 第12-16页 |
| ·功率MOSFET的发展现状 | 第12-15页 |
| ·终端耐压技术的发展现状 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 VDMOS击穿机制与基本的终端技术 | 第18-28页 |
| ·雪崩击穿原理 | 第18-21页 |
| ·碰撞电离率 | 第18-19页 |
| ·雪崩倍增及击穿 | 第19-20页 |
| ·关键电场强度 | 第20-21页 |
| ·突变圆柱结的对称解及击穿 | 第21-23页 |
| ·几种基本的终端技术 | 第23-27页 |
| ·应用掺杂的终端技术 | 第23-24页 |
| ·应用场板的终端技术 | 第24-26页 |
| ·应用表面变形的终端技术 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 TCAD仿真基础与VDMOS制程模拟 | 第28-39页 |
| ·工艺模拟与VDMOS制程 | 第28-31页 |
| ·大尺寸终端的网格化策略 | 第31-34页 |
| ·三种网格策略 | 第31-33页 |
| ·大尺寸器件仿真的网格 | 第33-34页 |
| ·器件模拟及VDMOS雪崩过程的物理模型 | 第34-38页 |
| ·雪崩击穿电压的测试电路 | 第34-36页 |
| ·模拟雪崩过程的物理模型 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 场限环场板复合结构的600V终端设计 | 第39-54页 |
| ·外延片的参数设计 | 第39-43页 |
| ·无限大平行平面结的击穿电压 | 第39-40页 |
| ·临界穿通型与穿通型的外延参数设计 | 第40-43页 |
| ·600V VDMOS传统终端结构的设计与优化 | 第43-53页 |
| ·场限环特性研究 | 第43-46页 |
| ·场板特性研究 | 第46-48页 |
| ·多场限环场板的600V终端优化 | 第48-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 应用表面变形结构的600V终端设计 | 第54-65页 |
| ·负斜坡结构的研究 | 第54-58页 |
| ·负斜坡提高终端耐压的理论基础 | 第54-55页 |
| ·负斜坡结构的倾角选取 | 第55-56页 |
| ·应用负斜坡的最小终端宽度 | 第56-58页 |
| ·浅沟槽负斜坡结构的终端设计 | 第58-64页 |
| ·浅沟槽深度的选取 | 第59-61页 |
| ·斜坡负倾角的选取 | 第61-62页 |
| ·终端宽度的选取 | 第62-63页 |
| ·制程中的特殊工艺 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论及未来工作 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第71页 |
