| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究背景与意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·论文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 相关原理和复合栅介质结构应力应变的表征及研究方法 | 第15-23页 |
| ·CCD 工作原理 | 第15-19页 |
| ·界面态 | 第16-17页 |
| ·界面态模型 | 第16-17页 |
| ·电导法测界面态原理 | 第17页 |
| ·暗电流 | 第17-18页 |
| ·电荷转移效率 | 第18-19页 |
| ·复合栅介质结构应力表征及研究方法 | 第19-23页 |
| ·复合栅介质应力产生的原因及其对器件可靠性的影响 | 第19-20页 |
| ·基片曲率法表征复合栅介质层应力 | 第20-21页 |
| ·ANSYS 模拟热应力应变方法 | 第21-23页 |
| ·热应力原理 | 第21页 |
| ·有限元模拟软件分析 | 第21-23页 |
| 第三章 CCD 复合栅介质结构热应力应变的模拟研究 | 第23-40页 |
| ·CCD 复合栅介质模拟方法研究 | 第23-28页 |
| ·模拟流程和参数的设定 | 第23-26页 |
| ·模拟方法的研究 | 第26-27页 |
| ·仿真合理性分析 | 第27-28页 |
| ·典型尺寸 CCD 复合栅介质结构热应力分布分析 | 第28-31页 |
| ·典型尺寸 CCD 复合栅介质结构等效应力的整体分布 | 第28-29页 |
| ·各层剖面等效应力的具体分布 | 第29-31页 |
| ·典型尺寸 CCD 栅复合介质结构热应变分析 | 第31-34页 |
| ·典型尺寸 CCD 栅复合介质结构整体 Z 向位移分布 | 第31-33页 |
| ·各层剖面具体 Z 向位移分布 | 第33-34页 |
| ·CCD 复合栅介质结构热应力应变与复合栅厚度的关系研究 | 第34-39页 |
| ·最大 Z 向位移随厚度配比的变化关系 | 第34-37页 |
| ·SiO_2厚度对最大 Z 向位移的影响 | 第35-36页 |
| ·Si_3N_4厚度对最大 Z 向位移值的影响 | 第36-37页 |
| ·等效应力随复合介质层厚度的变化关系 | 第37-39页 |
| ·SiO_2厚度对等效应力的影响 | 第37页 |
| ·Si_3N_4厚度对热应力的影响 | 第37-39页 |
| ·复合栅介质结构应力应变与器件可靠性分析 | 第39-40页 |
| 第四章 CCD 器件特性与复合栅介质厚度的关系研究 | 第40-56页 |
| ·CCD 器件主要电参数与复合栅介质厚度的关系研究 | 第40-47页 |
| ·界面态和介质层厚度及厚度配比关系 | 第40-43页 |
| ·试验样品的制备和界面态的测试 | 第40-41页 |
| ·复合栅介质厚度与界面态的关系 | 第41-43页 |
| ·电荷转移效率与复合栅介质厚度的关系 | 第43-45页 |
| ·电荷转移效率与界面态的关系 | 第43-44页 |
| ·电荷转移效率与介质厚度及厚度配比 | 第44-45页 |
| ·暗电流和介质层厚度的关系 | 第45-47页 |
| ·暗电流与界面态的关系 | 第45页 |
| ·暗电流与介质层厚度及厚度配比 | 第45-47页 |
| ·力学性能与复合栅介质厚度及厚度配比关系的分析 | 第47-52页 |
| ·薄膜残余应力与介质层厚度及厚度配比的关系 | 第47-50页 |
| ·应力与界面态的关系 | 第50-52页 |
| ·CCD 复合栅介质厚度及厚度配比的选择 | 第52-56页 |
| ·主要电参数角度选择 CCD 复合栅介质厚度 | 第53-54页 |
| ·力学性能角度选择 CCD 复合栅介质厚度 | 第54页 |
| ·抗辐照角度选择 CCD 复合栅介质厚度 | 第54-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第62-63页 |
