| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·GaN 材料特性 | 第13-14页 |
| ·GaN 功率开关器件研究的主要问题 | 第14-17页 |
| ·材料制备 | 第15页 |
| ·工艺改进 | 第15页 |
| ·常关型器件制备 | 第15-16页 |
| ·漏电流与软击穿 | 第16页 |
| ·动态电阻 | 第16页 |
| ·计算机仿真 | 第16页 |
| ·可靠性问题 | 第16-17页 |
| ·本论文架构 | 第17-18页 |
| 第二章 GaN HEMT 器件物理 | 第18-39页 |
| ·基于非极化半导体的 HEMT | 第18-21页 |
| ·联立 Poisson 方程与 Schr dinger 方程获得载流子分布 | 第19-20页 |
| ·电荷控制解析模型 | 第20-21页 |
| ·极化效应 | 第21-23页 |
| ·GaN HEMT 中 2DEG 的形成 | 第23-25页 |
| ·常关型 GaN HEMT 的实现 | 第25-33页 |
| ·槽栅结构 GaN HEMT | 第26-27页 |
| ·负电离子引入 | 第27-29页 |
| ·p-gate GaN HEMT | 第29页 |
| ·极化抵消 | 第29-30页 |
| ·GaN MOSFET 与 GaN MIS-HEMT | 第30-31页 |
| ·GaN Tunnel Junction FET（TJFET） | 第31页 |
| ·GaN HEMT 与 Si MOSFET 的 Cascode 结构 | 第31-33页 |
| ·GaN HEMT 的电流崩塌 | 第33-39页 |
| ·电流崩塌的原因 | 第33-34页 |
| ·GaN HEMT 电流崩塌的表征 | 第34-37页 |
| ·抑制电流崩塌的方法 | 第37-39页 |
| 第三章 GaN HEMT 器件的工艺方法 | 第39-47页 |
| ·材料生长 | 第39-43页 |
| ·MOCVD | 第39-40页 |
| ·MBE | 第40-41页 |
| ·GaN 材料制备其他相关技术 | 第41-43页 |
| ·器件隔离 | 第43页 |
| ·金属接触的制备 | 第43-45页 |
| ·欧姆接触 | 第44页 |
| ·肖特基接触 | 第44-45页 |
| ·器件钝化 | 第45-47页 |
| 第四章 GaN HEMT 表面电场模型 | 第47-58页 |
| ·数学模型 | 第47-49页 |
| ·保角变换 | 第49-51页 |
| ·GaN HEMT 表面电场的求解 | 第51-53页 |
| ·GaN HEMT 耗尽区内部电势 | 第51-52页 |
| ·GaN HEMT 栅漏间表面电场 | 第52-53页 |
| ·GaN HEMT 栅极金属下方的势垒层表面电场 | 第53页 |
| ·不同器件参数下 GaN HEMT 表面电场的分布 | 第53-58页 |
| 第五章 GaN 逆向导通型 HEMT (RC-HEMT) | 第58-78页 |
| ·逆向导通型功率开关器件 | 第58-65页 |
| ·前言 | 第58-59页 |
| ·Si 基功率器件中的传统逆向导通型器件 | 第59-62页 |
| ·TIGT | 第62-65页 |
| ·GaN RC-HEMT 的提出 | 第65-67页 |
| ·GaN RC-HEMT 器件结构与工作原理 | 第67-68页 |
| ·GaN RC-HEMT 器件工艺流程 | 第68-71页 |
| ·GaN RC-HEMT 的实验结果与讨论 | 第71-78页 |
| ·TLM 测试 | 第71-73页 |
| ·反向导通 IV 特性 | 第73-74页 |
| ·正向 IV 特性与转移特性 | 第74-75页 |
| ·击穿特性 | 第75-76页 |
| ·实验结果讨论 | 第76-78页 |
| 第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-91页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第91-93页 |
