| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GaN 材料与 AlGaN/GaN HEMT 概述 | 第10-13页 |
| ·GaN 材料简介 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件简介 | 第11-13页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件研究历史及现状 | 第13-15页 |
| ·提高 AlGaN/GaN HEMT 器件耐压的方法 | 第15-17页 |
| ·课题主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件工作原理及击穿机理 | 第18-27页 |
| ·极化效应和二维电子气 | 第18-22页 |
| ·自发极化和压电极化 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结 2DEG 与极化效应的关系 | 第19-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件工作原理 | 第22-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件直流特性 | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件小信号特性 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件击穿机制 | 第25-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件场板结构研究 | 第27-48页 |
| ·Sentaurus 软件介绍 | 第27-30页 |
| ·Sentaurus TCAD 研究内容 | 第27-28页 |
| ·Sentaurus TCAD 的各种工具简要介绍 | 第28-30页 |
| ·器件建模和仿真方案 | 第30-33页 |
| ·器件结构 | 第30页 |
| ·仿真用到的基本方程 | 第30-31页 |
| ·仿真用到的基本物理模型 | 第31-33页 |
| ·High Field Saturation 模型 | 第31-32页 |
| ·SRH 模型 | 第32页 |
| ·Auger Recombination 模型 | 第32-33页 |
| ·栅场板结构对器件击穿特性的影响 | 第33-43页 |
| ·栅单场板结构研究 | 第33-40页 |
| ·栅单场板长度优化研究 | 第33-37页 |
| ·栅单场板钝化层厚度优化研究 | 第37-40页 |
| ·栅双场板结构研究 | 第40-43页 |
| ·源端场板结构研究 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件背势垒研究 | 第48-65页 |
| ·带背势垒的 AlGaN/GaN HEMT 器件结构和物理模型 | 第49页 |
| ·背势垒对器件直流特性的影响 | 第49-56页 |
| ·背势垒对器件击穿特性的影响 | 第56-60页 |
| ·背势垒对器件频率特性的影响 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第72-73页 |
